Graphite crucibles

Ang Semicorex Graphite Crucibles ay mga kritikal na sangkap sa proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor, lalo na sa yugto ng paglago ng kristal. Ang mga lalagyan na may mataas na pagganap na ito ay inhinyero upang mapaglabanan ang matinding mga kondisyon na kinakailangan upang makabuo ng mataas na kadalisayan na silikon o tambalan na mga kristal na semiconductor sa pamamagitan ng mga pamamaraan tulad ng proseso ng czochralski (CZ) o ang float zone (FZ) na pamamaraan.

Ang isang pangunahing pag-andar ng mga grapayt na crucibles ay upang mapaglabanan at suportahan ang napakataas na temperatura, karaniwang higit sa 2000 ° C, kung saan ang mga third-generation semiconductor na materyales tulad ng silikon na karbida at gallium nitride ay madalas na synthesized. Ang mga crucibles na ginawa mula sa high-kadalisayan graphite ay nagpapakita ng mahusay na pagtutol sa mataas na temperatura na nagpapanatili ng kanilang mga pisikal at kemikal na estado sa nasabing matinding antas nang walang anumang anyo ng agnas o kahit na metamorphosis. Ang mahusay na thermal conduction sa pamamagitan ng grapayt cruces ay nangangahulugan na hindi lamang sila magsasagawa ng init nang pantay ngunit nag -set up din ng isang matatag na patlang ng temperatura. Ito ay sa paglalaro ng krus sa krus sa panahon ng mga proseso ng pagtunaw at pagkikristal dahil ang pantay na pamamahagi ng temperatura ay magpapahintulot sa materyal na paglago sa ilalim ng higit pa o mas kaunting katumbas na mga kondisyon, sa gayon binabawasan ang mga depekto ng kristal at pinapayagan ang kalidad ng mga kristal na semiconductor.

Sa silikon na karbida o gallium nitride na mga proseso ng paglago ng kristal (tulad ng singaw phase epitaxy CVD o pisikal na singaw na transportasyon ng PVT), ang mga grapayt na crucibles ay ginagamit upang hawakan ang mga hilaw na materyales at magbigay ng isang kinokontrol na kapaligiran ng paglago. Ang kemikal na pagkawalang -galaw ng Krus ay nagsisiguro na hindi ito chemically reaksyon sa semiconductor material sa mataas na temperatura, sa gayon pinapanatili ang mataas na kadalisayan ng materyal. Kasabay nito, ang mahusay na thermal conductivity ng grapayt na crucible ay nakakatulong upang makabuo ng isang pantay na gradient ng temperatura, na nagbibigay ng perpektong mga kondisyon para sa paglaki ng kristal at pagbabawas ng mga impurities at mga depekto sa istruktura.

Ang kemikal na pagkawalang -galaw ng graphite crucibles ay isang pangunahing tampok sa paglilinis ng mga materyales na semiconductor. Ang materyal na may mataas na kadalisayan na grapayt ay maaaring ibukod ang panlabas na polusyon at maiwasan ang mga impurities na pumasok sa tinunaw na semiconductor material. Ang ibabaw ng grapayt na crucible ay maaari ring pinahiran (tulad ng silikon carbide coating) upang mapahusay ang paglaban ng oksihenasyon at paglaban ng kaagnasan, karagdagang pagtiyak ng mataas na kadalisayan at mataas na katatagan ng proseso ng paggawa.