Silicon carbide wafer boat

Sa likod ng bawat proseso ng mataas na temperatura sa paggawa ng wafer ay namamalagi ang isang tahimik ngunit mahalagang manlalaro: ang wafer boat. Bilang ang pangunahing carrier na direktang nakikipag -ugnay sa silikon na wafer sa panahon ng pagproseso ng wafer, ang materyal, katatagan, at kalinisan ay direktang nauugnay sa pangwakas na ani ng chip at katatagan ng proseso. Kabilang sa iba't ibang mga materyales sa carrier,Silicon Carbide (sic)Ang mga bangka ay unti-unting pinapalitan ang mga tradisyunal na solusyon sa kuwarts, na nagiging ginustong solusyon para sa mga advanced na proseso at kagamitan sa high-end.

Bakit Sic Wafer Boats?

Sa pagsulong ng mga proseso ng node sa ibaba ng 7NM at ang pagpapalawak ng mga windows na proseso ng high-temperatura, ang mga tradisyunal na bangka ng quartz wafer ay lalong nagpupumilit sa mga tuntunin ng thermal stabil, control ng butil, at pamamahala ng habang-buhay.

Ang mga bangka na wafer ng silikon, gayunpaman, ay unti -unting nakakakuha ng katanyagan dahil sa mga sumusunod na pakinabang:

1.Stable sa mataas na temperatura:

Nag-aalok sila ng pangmatagalang temperatura ng operating ng 1350-1600 ° C, madaling paghawak ng mga pangunahing proseso tulad ng CVD, pagsasabog, at pagsusubo. Kahit na ang maikling pagkakalantad sa mga temperatura ng 1800 ° C ay nagpapakita ng walang paglambot o pagpapapangit, na ginagawang angkop para sa mga kagamitan na mas mataas na dulo tulad ng solong kristal na silikon na karbida.

2.Low pagpapalawak at mataas na katatagan ng thermal shock:

Sa pamamagitan ng isang mababang koepisyent ng pagpapalawak ng thermal, maaari silang makatiis ng mabilis na pagtaas ng temperatura at bumababa, na binabawasan ang pag -crack ng istruktura na sanhi ng thermal stress. Pinapanatili nila ang mahusay na morpolohiya at pagganap sa mataas na temperatura, kumplikadong mga atmospheres (tulad ng hydrogen, nitrogen, ammonia, at fluorides).

3.Clean na ibabaw at sobrang mababang kontaminasyon:

Mataas na kadalisayan ng materyal na may kaunting mga impurities ng metal. Mababang ibabaw ng pagkamagaspang, na pumipigil sa pangalawang kontaminasyon ng mga wafer ng silikon; Napakahusay na pagkontrol sa pagkamagaspang sa ibabaw, na may RA sa ibaba 0.1μm, pinipigilan ang pagpapadanak ng butil at nakakatugon sa mga kinakailangan sa paglilinis ng mga advanced na proseso;

4. Isang piraso ng paghuhulma.3D Pagpi -print, tinanggal ang pangangailangan para sa mga hulma, makabuluhang pagpapabuti ng kahusayan sa pagpapasadya; Pinagsama sa limang-axis machining at teknolohiya ng pagputol ng wire, ang mga ngipin ng bangka ay walang burr, na pumipigil sa mga gasgas sa mga wafer at tinitiyak ang makinis na awtomatikong paghawak;

5. Mataas na lakas at mahabang buhay: 

Ang isang solong bangka ay ipinagmamalaki ang mataas na lakas ng pag-load at maaaring sabay na suportahan ang dose-dosenang daan-daang 12-pulgada na wafer. Kumpara sa tradisyonal na mga bangka ng kuwarts, ang average na buhay ng bangka ay 5-10 beses na mas mahaba, binabawasan ang dalas ng pagbabago ng kagamitan at kabuuang gastos ng pagmamay-ari.

EMPLICATION SCENARIO

Ang malawak na kakayahang umangkop ngSilicon carbide wafer boatPinalawak ang kanilang aplikasyon na lampas sa patlang ng semiconductor sa iba't ibang mga sitwasyon sa proseso ng mataas na temperatura, kabilang ang mga bagong materyales sa enerhiya, LED manufacturing, at pananaliksik ng nukleyar na enerhiya.

Industriya ng Semiconductor

Ito ay angkop para sa mga pangunahing proseso tulad ng oksihenasyon, pagsasabog, pag-aalis ng CVD, at pagtatanim ng ion, na ginagawa itong isang kailangang-kailangan na high-temperatura na carrier para sa mga linya ng proseso ng sub-7nm.

Photovoltaic Industry

Sa mga umuusbong na teknolohiya ng baterya tulad ng TopCon at HJT, ang mga bangka ng wafer ay ginagamit sa mga proseso ng hurno na may mataas na temperatura tulad ng LPCVD at pagsusubo, na tumutulong upang mapagbuti ang kahusayan ng enerhiya at mga rate ng conversion.

Mga Semiconductor ng Ikatlong Henerasyon

Para sa mga proseso ng paglago ng epitaxial ng GaN at SIC sa mga LED, sinusuportahan nila ang mga substrate ng sapiro o silikon na karbida. Nakatiis sila ng mga kinakaing unti-unting gas tulad ng NH₃ at HCL, na sumusuporta sa paggawa ng mga aparato na may mataas na dalas.

Bagong Mga Materyales ng Enerhiya at Pananaliksik ng Mataas na temperatura

Sinusuportahan ang nagbabayad na reaksyon ng mga materyales sa cathode ng baterya ng lithium at ang paggamot ng init ng mga materyales sa industriya ng nuklear, pagsasama -sama ng paglaban sa init, paglaban sa kaagnasan, at kalinisan.

Nag-aalok ang Semicorex ng mataas na kadalisayanNa -customize na mga bangka ng Sic Wafer. Kung mayroon kang anumang mga katanungan o nangangailangan ng karagdagang mga detalye, mangyaring huwag mag -atubiling makipag -ugnay sa amin.

Makipag-ugnay sa Telepono # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com