Paglalapat ng SiC at GaN sa mga de-kuryenteng sasakyan

SiCAng mga MOSFET ay mga transistor na nag-aalok ng mataas na density ng kuryente, pinahusay na kahusayan, at mababang rate ng pagkabigo sa mataas na temperatura. Ang mga bentahe na ito ng mga SiC MOSFET ay nagdudulot ng maraming benepisyo sa mga de-kuryenteng sasakyan (EV), kabilang ang mas mahabang driving range, mas mabilis na pag-charge, at potensyal na mas mababang gastos sa mga electric vehicle (BEV). Sa nakalipas na limang taon,SiCAng mga MOSFET ay malawakang ginagamit sa power electronics ng mga EV sa mga sasakyan mula sa mga OEM gaya ng Tesla at Hyundai. Sa katunayan, ang mga SiC inverters ay umabot sa 28% ng merkado ng BEV noong 2023.

GaNAng mga HEMT ay isang mas bagong teknolohiya na malamang na ang susunod na pangunahing disruptor sa EV market. Ang mga GaN HEMT ay nag-aalok ng mahusay na pagganap ng kahusayan, ngunit nahaharap pa rin sa mga makabuluhang hamon sa pag-aampon, tulad ng mga pinakahuling kakayahan sa paghawak ng kapangyarihan. Malaki ang overlap sa pagitan ng mga SiC MOSFET at GaN HEMT, at pareho silang magkakaroon ng lugar sa automotive power semiconductor market.

Habang mabilis na tumataas ang mga pasilidad, natugunan ang mga hadlang sa pagganap, pagiging maaasahan, at kapasidad ng produksyon ng SiC MOSFET, at ang gastos nito ay bumaba nang malaki. Bagama't ang average na presyo ng mga SiC MOSFET ay 3 beses pa ring mas mahal kaysa sa katumbas na Si IGBT, ang mga katangian nito ang nagpapasikat sa mga manufacturer gaya ng Tesla, Hyundai, at BYD. Ang iba pang mga kumpanya ay nag-anunsyo din ng pag-aampon sa hinaharap ng mga SiC MOSFET, kabilang ang Stellantis, Mercedes-Benz, at ang Renault-Nissan-Mitsubishi Alliance.

SiCAng mga MOSFET ay may mas maliit na form factor at maaari ding bawasan ang laki ng mga kasamang passive na bahagi gaya ng mga inductors sa mga traction inverters. Sa pamamagitan ng pagpapalit ng mga Si IGBT sa inverter ng mga SiC MOSFET, ang mga BEV ay maaaring maging mas magaan at mas mahusay, at ang kanilang hanay ay maaaring tumaas ng humigit-kumulang 7%, na tumutugon sa mga alalahanin ng consumer tungkol sa saklaw. Sa kabilang banda, sa pamamagitan ng paggamit ng mga SiC MOSFET, ang parehong hanay ay maaaring makuha sa isang pinababang kapasidad ng baterya, na tumutulong sa paggawa ng mas magaan, mas mura, at mas napapanatiling mga sasakyan.

Habang tumataas ang kapasidad ng baterya, ang pangkalahatang pagtitipid ng enerhiya ay nakakamit sa pamamagitan ng paggamitSiCTumataas din ang mga MOSFET. Sa una,SiCAng mga MOSFET at mas malalaking baterya ay nakalaan para sa mga mid-to high-end na EV na may mas malalaking baterya. Sa mga bagong mainstream at pang-ekonomiyang sasakyan tulad ng MG MG4, BYD Dolphin at Volvo EX30 na may kapasidad ng baterya na lampas sa 50kWh, ang mga SiC MOSFET ay nakapasok sa pangunahing segment ng pampasaherong sasakyan sa Europe at China. Sinamahan ito ng lead na nakuha ng United States, kung saan ang Tesla ang unang pangunahing OEM na gumamit ng mga SiC MOSFET sa Model 3 nito. May mga ulat na ang demand para sa mga SiC MOSFET ay lalago nang 10 beses sa pagitan ng 2023 at 2035, na pangunahing hinihimok ng ang paggamit ng mas mataas na kahusayan at mas mataas na boltahe na mga platform para gamitin sa mga inverters, on-board charger at DC-DC converter.

Nag-aalok ang Semicorex ng mataas na kalidadSiCwafersatGaN wafers. Kung mayroon kang anumang mga katanungan o kailangan ng karagdagang mga detalye, mangyaring huwag mag-atubiling makipag-ugnayan sa amin.

Makipag-ugnayan sa telepono # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com