Pagsusupil

Ang pagtatanim ng ion ay ang proseso ng pagpapabilis at pagtatanim ng mga dopant ions sa isang silicon na wafer upang baguhin ang mga katangiang elektrikal nito. Ang Annealing ay isang proseso ng thermal treatment na nagpapainit sa wafer upang ayusin ang pinsala sa sala-sala na dulot ng proseso ng pagtatanim at i-activate ang mga dopant ions upang makamit ang ninanais na mga katangian ng kuryente.

1. Layunin ng Ion Implantation

Ang ion implantation ay isang kritikal na proseso sa modernong paggawa ng semiconductor. Ang pamamaraan na ito ay nagbibigay-daan para sa tumpak na kontrol sa uri, konsentrasyon, at pamamahagi ng mga dopant, na kinakailangan para sa paglikha ng P-type at N-type na mga rehiyon sa mga semiconductor device. Gayunpaman, ang proseso ng pagtatanim ng ion ay maaaring lumikha ng isang layer ng pinsala sa ibabaw ng wafer at posibleng makagambala sa istraktura ng sala-sala sa loob ng kristal, na negatibong nakakaapekto sa pagganap ng device.

2. Proseso ng Pagsusupil

Upang matugunan ang mga isyung ito, isinasagawa ang pagsusubo. Ang prosesong ito ay nagsasangkot ng pag-init ng wafer sa isang partikular na temperatura, pagpapanatili ng temperaturang iyon para sa isang takdang panahon, at pagkatapos ay palamig ito. Ang pag-init ay tumutulong upang muling ayusin ang mga atomo sa loob ng kristal, ibalik ang kumpletong istraktura ng sala-sala, at i-activate ang mga dopant ions, na nagpapahintulot sa kanila na lumipat sa kanilang mga naaangkop na posisyon sa sala-sala. Pinahuhusay ng optimization na ito ang conductive properties ng semiconductor.

3. Mga Uri ng Pagsusupil

Ang pagsusubo ay maaaring ikategorya sa ilang uri, kabilang ang mabilis na thermal annealing (RTA), furnace annealing, at laser annealing. Ang RTA ay isang malawakang ginagamit na paraan na gumagamit ng mataas na kapangyarihan na pinagmumulan ng liwanag upang mabilis na mapainit ang ibabaw ng wafer; ang oras ng pagproseso ay karaniwang umaabot mula sa ilang segundo hanggang ilang minuto. Isinasagawa ang furnace annealing sa isang furnace sa mas mahabang panahon, na nakakamit ng mas pare-parehong epekto sa pag-init. Gumagamit ang laser annealing ng mga laser na may mataas na enerhiya upang mapainit ang ibabaw ng wafer nang mabilis, na nagbibigay-daan para sa napakataas na rate ng pag-init at naisalokal na pag-init.

4. Epekto ng Pagsusupil sa Pagganap ng Device

Ang wastong pagsusubo ay mahalaga para matiyak ang pagganap ng mga aparatong semiconductor. Ang prosesong ito ay hindi lamang nag-aayos ng pinsalang dulot ng pagtatanim ng ion ngunit tinitiyak din na ang mga dopant ions ay sapat na naisaaktibo upang makamit ang ninanais na mga katangian ng kuryente. Kung ang pagsusubo ay isinasagawa nang hindi wasto, maaari itong humantong sa pagtaas ng mga depekto sa wafer, na makakaapekto sa performance ng device at posibleng magdulot ng pagkabigo ng device.

Ang post-ion implantation annealing ay isang mahalagang hakbang sa paggawa ng semiconductor, na kinasasangkutan ng maingat na kinokontrol na proseso ng heat treatment para sa wafer. Sa pamamagitan ng pag-optimize ng mga kondisyon ng pagsusubo, ang istraktura ng sala-sala ng wafer ay maaaring maibalik, ang mga dopant ions ay maaaring maisaaktibo, at ang pagganap at pagiging maaasahan ng mga semiconductor na aparato ay maaaring makabuluhang mapahusay. Habang patuloy na sumusulong ang teknolohiya sa pagpoproseso ng semiconductor, umuusbong din ang mga paraan ng pagsusubo upang matugunan ang tumataas na mga pangangailangan sa pagganap ng mga device.

Mga alok ng Semicorexmataas na kalidad na mga solusyon para sa proseso ng pagsusubo. Kung mayroon kang anumang mga katanungan o kailangan ng karagdagang mga detalye, mangyaring huwag mag-atubiling makipag-ugnayan sa amin.

Makipag-ugnayan sa telepono # +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com