Ang Semicorex Barrel Susceptor Epi System ay isang de-kalidad na produkto na nag-aalok ng superyor na coating adhesion, mataas na purity, at high-temperature oxidation resistance. Ang pantay na thermal profile nito, pattern ng daloy ng laminar gas, at pag-iwas sa kontaminasyon ay ginagawa itong perpektong pagpipilian para sa paglaki ng mga epixial layer sa mga wafer chips. Ang pagiging epektibo nito sa gastos at pagiging customizable ay ginagawa itong isang mataas na mapagkumpitensyang produkto sa merkado.
Ang aming Barrel Susceptor Epi System ay isang napaka-makabagong produkto na nag-aalok ng mahusay na thermal performance, kahit na thermal profile, at superior coating adhesion. Ang mataas na kadalisayan, mataas na temperatura na oxidation resistance, at corrosion resistance ay ginagawa itong lubos na maaasahang produkto para gamitin sa industriya ng semiconductor. Ang pag-iwas nito sa kontaminasyon at mga impurities at mababang mga kinakailangan sa pagpapanatili ay ginagawa itong isang mataas na mapagkumpitensyang produkto sa merkado.
Sa Semicorex, nakatuon kami sa pagbibigay ng mataas na kalidad, matipid na mga produkto sa aming mga customer. Ang aming Barrel Susceptor Epi System ay may kalamangan sa presyo at ini-export sa maraming European at American market. Nilalayon naming maging iyong pangmatagalang kasosyo, na naghahatid ng pare-parehong kalidad ng mga produkto at pambihirang serbisyo sa customer.
Makipag-ugnayan sa amin ngayon para matuto pa tungkol sa aming Barrel Susceptor Epi System.
Mga Parameter ng Barrel Susceptor Epi System
Pangunahing Pagtutukoy ng CVD-SIC Coating |
||
Mga Katangian ng SiC-CVD |
||
Istraktura ng Kristal |
FCC β phase |
|
Densidad |
g/cm ³ |
3.21 |
Katigasan |
Vickers tigas |
2500 |
Sukat ng Butil |
μm |
2~10 |
Kadalisayan ng Kemikal |
% |
99.99995 |
Kapasidad ng init |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura ng Sublimation |
℃ |
2700 |
Lakas ng Felexural |
MPa (RT 4-point) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bend, 1300℃) |
430 |
Thermal Expansion (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Thermal conductivity |
(W/mK) |
300 |
Mga Tampok ng Barrel Susceptor Epi System
- Parehong ang graphite substrate at silicon carbide layer ay may magandang density at maaaring gumanap ng isang mahusay na proteksiyon na papel sa mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na mga kapaligiran sa pagtatrabaho.
- Silicon carbide coated susceptor na ginagamit para sa solong paglaki ng kristal ay may napakataas na flatness sa ibabaw.
- Bawasan ang pagkakaiba sa thermal expansion coefficient sa pagitan ng graphite substrate at silicon carbide layer, epektibong mapabuti ang lakas ng bonding upang maiwasan ang pag-crack at delamination.
- Parehong ang graphite substrate at silicon carbide layer ay may mataas na thermal conductivity, at mahusay na mga katangian ng pamamahagi ng init.
- Mataas na punto ng pagkatunaw, mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon, paglaban sa kaagnasan.