Bahay > Mga produkto > Ostiya > Epi-Ostiya > GaN Epitaxy
GaN Epitaxy

GaN Epitaxy

Nagbibigay ang Semicorex ng custom na thin film na HEMT (Gallium nitride) GaN epitaxy sa mga substrate ng Si/SiC/GaN. Ang Semicorex ay nakatuon sa pagbibigay ng mga de-kalidad na produkto sa mapagkumpitensyang presyo, inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Ang Gallium Nitride GaN epitaxy ay isang wide-bandgap na semiconductor na materyal na may mahusay na electrical at optical properties, na ginagawa itong isang promising candidate para sa iba't ibang electronic at optoelectronic na device.

Binago ng GaN epitaxy ang pagbuo ng mga GaN-based na device, kabilang ang high-power electronics, solid-state lighting (LEDs), at high-frequency na device. Ang kakayahang magpalaki ng mataas na kalidad na mga layer ng epitaxial ng GaN na may tumpak na kontrol sa mga materyal na katangian ay makabuluhang nagpabuti sa pagganap, kahusayan, at pagiging maaasahan ng mga GaN device, na nag-aambag sa mga pagsulong sa iba't ibang industriya, tulad ng power electronics, telekomunikasyon, at consumer electronics.




Mga Hot Tags: GaN Epitaxy, China, Mga Manufacturer, Supplier, Factory, Customized, Bulk, Advanced, Matibay
Kaugnay na Kategorya
Magpadala ng Inquiry
Mangyaring huwag mag-atubiling ibigay ang iyong pagtatanong sa form sa ibaba. Sasagot kami sa iyo sa loob ng 24 na oras.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept