Graphite electrode

Ang Semicorex Graphite Electrode ay isang mataas na kadalisayan, katumpakan na gawa ng grapayt na sangkap para magamit sa semiconductor thermal application, kung saan ang elektrikal na kondaktibiti, thermal katatagan at dimensional na kawastuhan ay pinakamahalaga. Sa katunayan, ang mga ganitong uri ng mga electrodes ay ginagamit sa mga hurno na may mataas na temperatura, mga epitaxy reaktor at mga kamara sa pagproseso ng thermal, na nagpapadali ng matatag na kasalukuyang pagpapadaloy, paglipat ng init at katatagan sa ilalim ng agresibong mga kondisyon ng temperatura at kapaligiran. Dahil sa matinding kadalisayan, pagkakapareho ng solidong istraktura, at mataas na mekanikal na mga katangian ng semicorex grapayt electrodes, maaari silang magbigay ng maaasahang pagganap ng thermal bilang mga elemento ng pag -init sa hinihingi ang mga aplikasyon ng semiconductor

Ang Graphite eletrode ay ginawa mula sa mataas na kalidad na materyal na grapayt na butil, ang bawat isa ay ginawa gamit ang isang advanced na pagkakasunud-sunod ng extrusion, high-temperatura carbonization at graphitization. Ang grapayt na microstructure ay idinisenyo para sa humigit -kumulang na pare -pareho ang resistensya ng elektrikal, mataas na thermal conductivity at mekanikal na katatagan. Ang pangwakas na produkto ay isang high-purity thermal conductor na nagpapanatili ng isang pisikal na kondisyon at isang pantay na pamamahagi ng kasalukuyang sa mga mataas na kapaligiran na kapaligiran pati na rin ang mabilis na pagbabagu-bago ng temperatura.

Ang pagganap ng ultra sa aminggrapayt

Ginagarantiyahan ng aming grapayt ang higit na pagkakapareho ng pagganap. Una, sa panahon ng proseso ng carbonization, ang aming mga hurno ay may 115 cubic metro lamang. Sinusubaybayan ng aming teknikal na koponan ang larangan ng temperatura ng mga produktong grapayt sa iba't ibang mga lugar ng bawat hurno. Sa paunang yugto ng mababang temperatura (0-200 ° C), kinokontrol namin ang temperatura sa loob ng ± 10 ° C, at sa mataas na temperatura (sa itaas ng 600 ° C), sa loob ng ± 1 ° C. Hindi lamang namin sinusubaybayan ang patlang ng temperatura sa pagitan ng iba't ibang mga particle ng grapayt, kundi pati na rin ang ibabaw at panloob na temperatura ng bawat indibidwal na piraso ng grapayt, na kinokontrol ito sa loob ng ± 3 ° C. Sinusubaybayan namin ang 8 puntos ng temperatura sa bawat hurno ng carbonization.

Pangalawa, sa panahon ng proseso ng graphitization, kumuha ng isang 500 kg batch bilang isang halimbawa, sinusubaybayan din namin ang 8 puntos ng temperatura. Matapos ang graphitization, random naming sample at mapanirang pagsubok ng 24 puntos kasama ang x, y, at z axes upang matiyak ang pagkakapareho. Karamihan sa mga kumpanya sa industriya ay sumusubok lamang sa x-axis, o sa karamihan ng XY-axis, na may mga karaniwang tagagawa na sumusubok lamang sa 6-8 puntos, at mas mahusay na sumusubok sa 12 puntos. Sinubukan namin ang 24 puntos.

Sa patlang ng thermal ng semiconductor, ang grapayt na elektrod ay isang kritikal na bahagi ng pagpupulong ng pag -init, na nagdidirekta ng electric current sa pag -init zone at pinapayagan ang kinokontrol na pamamahagi ng temperatura sa isang tiyak na proseso, tulad ng oksihenasyon, pagsasabog, LPCVD, o epitaxy. Ang grapayt na elektrod ay dapat na humawak ng isang maaasahang papel ng pagpapatakbo sa mga temperatura na lumampas sa 2000 ° C at gawin ito habang nilalabanan ang oksihenasyon, pag -war o kontaminado ang site ng pag -init.

Ang Semicorex Graphite Electrodes ay may natitirang elektrikal na kondaktibiti, na nagpapadali ng epektibong paghahatid ng kuryente na may kaunting pagkalugi, at nagtataglay sila ng mahusay na thermal conductivity, na nagpapahintulot sa mabilis na unipormeng paglipat ng init sa hurno. Ang kumbinasyon ng mababang pagpapalawak ng thermal at mataas na lakas ng mekanikal ay binabawasan ang pagpapapangit at pag -crack sa panahon ng thermal cycling, na nagbubunga ng matatag na pag -uugali sa mahabang tagal ng buhay ng serbisyo. Ang bawat elektrod ay makina sa mahigpit na dimensional na pagpapaubaya at pinong pagtatapos ng ibabaw upang matiyak ang pare -pareho na pakikipag -ugnay at napapabayaan na paglaban ng elektrikal sa ibabaw ng contact.

Sa isip ng mga tiyak na kinakailangan ng mga proseso ng semiconductor, ang Semicorex ay maaaring mag -engineer ng mga pasadyang disenyo ng elektrod upang magkasya sa anumang pagsasaayos ng hurno at pagtutukoy ng kuryente. Ang iba't ibang mga diametro, haba, uri ng mga koneksyon o pagtatapos ng ibabaw ay maaaring magamit. Kung kinakailangan, ang mga materyales na patong, tulad ng SIC o pyrolytic carbon, ay maaaring mailapat upang suportahan ang paglaban sa oksihenasyon at buhay ng serbisyo sa high-oxygen o reaktibo na mga gas na kapaligiran.

Ang mataas na kadalisayan ngGraphite MaterialNagsisilbi upang matiyak ang hindi kapani -paniwalang mababang antas ng mga metal na impurities (at mga gas na impurities), madalas na higit sa 99.999% carbon. Ang nasabing mababang antas ng mga impurities ay makakatulong upang maiwasan ang mga kontaminadong mga wafer ng semiconductor sa panahon ng pagproseso ng thermal. Pinagsama sa makabuluhang lalim ng machining at makintab na pagtatapos ng ibabaw, ang mga semicorex grapayt electrodes ay nakakatugon sa parehong mekanikal at kemikal na katatagan ng mga teknolohiya ng katha ng state-of-the-art wafer.

Ginamit man sa mga hurno ng pagsasabog, epitaxial reaktor, o kagamitan sa pagproseso ng mataas na temperatura, ang semicorex grapayt electrode ay nagbibigay ng hindi magkatugma na pagganap sa pinaka-hinihingi na mga thermal environment. Sa pamamagitan ng pagsasama ng mataas na kadalisayan, tumpak na geometry, at advanced na pagproseso ng materyal, ang Semicorex ay naghahatid ng isang solusyon sa elektrod na nagsisiguro ng matatag na kasalukuyang pagpapadaloy, pare-pareho ang pag-init, at pangmatagalang pagiging maaasahan ng pagpapatakbo na mahalaga sa susunod na henerasyon na semiconductor manufacturing.