Graphite Powder

SemicorexGraphite Powderna may 99.999% kadalisayan at laki ng butil na 1-5 microns ay isang napaka-espesyal na materyal na mahalaga para sa mga kritikal na aplikasyon sa industriya ng semiconductor. Ang ultra-high-purity graphite powder na ito ay inengineered upang matugunan ang mahigpit na mga kinakailangan ng mga proseso ng paglaki ng kristal, pangunahin na nagsisilbing isang hilaw na materyal upang matiyak ang pinakamainam na pagganap, kalidad, at pagiging maaasahan sa advanced na paggawa ng semiconductor.

Mga Pangunahing Tampok

Napakataas na Kadalisayan (99.999%):Ang pambihirang antas ng kadalisayan ay nagpapaliit ng mga panganib sa kontaminasyon sa panahon ng paglaki ng semiconductor na kristal, na tinitiyak ang isang malinis at kontroladong kapaligiran ng proseso na mahalaga para sa pagkamit ng mga de-kalidad na kristal.

Kinokontrol na Laki ng Particle (1-5 µm):Ang makitid na pamamahagi ng laki ng butil ay nagpapahusay sa pagkakapareho ng mga aplikasyon, na nagbibigay ng pare-parehong pagganap ng materyal sa iba't ibang mga hakbang sa pagproseso.

Mataas na Thermal Stability:Na may mahusay na pagtutol sa mataas na temperatura, ang graphite powder ay nagpapanatili ng integridad ng istruktura nito sa ilalim ng matinding thermal na kondisyon, na kritikal para sa mga proseso ng paglaki ng kristal.

Napakahusay na Katatagan ng Kemikal:Ang materyal ay nagpapakita ng kahanga-hangang pagtutol sa mga reaksiyong kemikal, na pumipigil sa mga hindi gustong mga dumi o pagkasira sa panahon ng pagproseso.

Superior Conductive Properties:Ang likas na electrical at thermal conductivity ng Graphite ay ginagawa itong angkop na materyal para sa iba't ibang tungkulin sa paggawa ng semiconductor.

Nako-customize na Mga Katangian:Depende sa mga partikular na kinakailangan, ang mga katangian ng graphite powder ay maaaring iayon upang matugunan ang mga natatanging pang-industriya na pangangailangan.

Ang graphite powder ay may mahalagang papel sa mga proseso ng paglaki ng kristal, lalo na sa paggawa ng mga wafer ng silicon carbide (SiC) at silicon (Si). Ang mga materyales na ito ay nagsisilbing pundasyon ng mga substrate para sa mga semiconductor, na nagbibigay-daan sa paggawa ng mga high-performance na electronic device tulad ng mga microprocessor, power device, at optoelectronic na bahagi.

Mga Bentahe sa Semiconductor Crystal Growth

Nabawasan ang Kontaminasyon: Tinitiyak ng ultra-high-purity na grado ang hindi gaanong presensya ng mga metal na dumi, na maaaring makaapekto sa mga elektronikong katangian ng mga nagreresultang kristal.

Pinahusay na Kalidad ng Kristal: Ang pare-parehong pamamahagi ng laki ng butil ay nagpapahusay sa homogeneity ng mga coating at additives na nauugnay sa grapayt, na humahantong sa mas mataas na kalidad na mga kristal na may mas kaunting mga depekto.

Pinahusay na Kontrol sa Proseso: Ang katatagan at pagkakapare-pareho ng materyal ay nagbibigay-daan sa mga tagagawa na mapanatili ang tumpak na kontrol sa mga parameter ng proseso, pag-optimize ng kahusayan sa produksyon at pagbabawas ng basura.

Tumaas na Haba ng Kagamitan: Ang mga bahaging pinahiran ng pulbos ng graphite ay nagpapakita ng matagal na tibay, na nagpapababa sa dalas ng pagpapanatili at pagpapalit.

Sa Semicorex, inuuna namin ang paghahatid ng mga materyales na nakakatugon sa pinakamataas na pamantayan ng industriya para sa mga aplikasyon ng semiconductor. Ang aminggrapaytAng pulbos ay ginawa gamit ang mga advanced na diskarte sa paglilinis at mahigpit na kontrol sa kalidad upang matiyak ang walang kapantay na kadalisayan at pagkakapare-pareho. Sa isang pangako sa pagbabago at pagiging maaasahan, ang Semicorex ay nag-aalok ng mga pasadyang solusyon na iniayon sa mga partikular na pangangailangan ng iyong mga proseso ng paglaki ng kristal. Ang pagpili sa aming graphite powder ay nangangahulugan ng pamumuhunan sa kalidad, pagganap, at katiyakan ng higit na mahusay na mga resulta ng pagmamanupaktura ng semiconductor.