Nadama ang pagkakabukod

Ang Semicorex na may mataas na kalidad na pagkakabukod ay partikular na inhinyero para magamit sa mahabang kristal na paglaki ng thermal barrels, na nagbibigay ng mahusay na pamamahala ng thermal upang ma-optimize ang mga proseso ng paglago ng kristal. Dinisenyo gamit ang advanced na materyal na teknolohiya, ang nadama na ito ay nagsisiguro na pare -pareho ang kontrol sa temperatura, binabawasan ang pagkawala ng init, at pinapahusay ang pangkalahatang kahusayan at kalidad ng paggawa ng kristal.

Ang nadama ng pagkakabukod ay karaniwang gawa sa viscose fiber, pan fiber at iba pang mga hilaw na hibla sa pamamagitan ng hindi pinagtagpi na proseso upang madama, at pagkatapos ay sa pamamagitan ng pagpapagaan (pangunahin ang base ng viscose ay kailangang maging pinapagbinhi), pre-oksihenasyon, carbonization, graphitization, pagputol, at sa wakas ang natapos na produkto ay nakuha.

Mula sa pangunahing mga tagapagpahiwatig ng pagganap, ang density ng pagkakabukod ay nadama ay halos 0.10g/cm³, na halos isang-sampu ng density ng tubig. Ang hibla mismo ay magaan at manipis pagkatapos ng graphitization, at ang maliit na puwang na nabuo sa pagitan ng isang malaking bilang ng mga hibla ay ginagawang mababa ang density ng malambot na nadama. Ang thermal conductivity ng mataas na kadalisayan/high-efficiency viscose-based graphite soft nadama ay tungkol sa 0.10-0.15W/m · K sa 1150 ℃. Ang mas mababa ang thermal conductivity, mas mahusay ang pagganap ng thermal pagkakabukod.

Ang nadama ng pagkakabukod ay maaaring magamit sa isang kapaligiran na higit sa 2200 degree Celsius. Habang isinasaalang -alang ang pagganap ng thermal pagkakabukod, ang panloob na nilalaman ng abo ay maaari ring stably kontrolado sa ibaba ng 20ppm, na maaaring epektibong makontrol ang problema ng polusyon sa karumihan. At mayroon itong mahusay na paglaban sa antioxidant at SI. Bilang isang high-end na thermal barrier material, mayroon itong malinaw na mga pakinabang sa mga aplikasyon sa semiconductor thermal field na kapaligiran tulad ng SI crystal growth furnaces at SIC crystal growth furnaces.