Bahay > Balita > Balita sa Industriya

Ano ang bentahe ng silicon carbide?

2023-04-06

Ang Silicon carbide (SiC) ay isang tambalang semiconductor na nakakakuha ng katanyagan sa mga nagdaang taon dahil sa maraming pakinabang nito sa mga tradisyonal na semiconductor na materyales tulad ng silikon. Ang SiC ay may higit sa 200 uri ng mga kristal, at ang pangunahing 4H-SiC nito, halimbawa, ay may ipinagbabawal na bandwidth na 3.2eV. Ang saturation electron mobility nito, breakdown electric field strength, at thermal conductivity ay mas mahusay kaysa sa conventional silicon-based semiconductors, na may mga superior na katangian tulad ng high voltage resistance, high-temperature resistance, at mababang pagkawala.



Si

GaAs

SiC

GaN

Bandwidth(eV)

1.12

1.43

3.2

3.4

Saturated Drift Velocity (107cm/s)

1.0

1.0

2.0

2.5

Thermal Conductivity (W·cm-1·K-1)

1.5

0.54

4.0

1.3

Lakas ng Breakdown (MV/cm)

0.3

0.4

3.5

3.3


Ang isa sa mga pangunahing bentahe ng silicon carbide ay ang mataas na thermal conductivity nito, na nagbibigay-daan sa pag-alis ng init nang mas epektibo kaysa sa tradisyonal na mga semiconductor na materyales. Ginagawa nitong mainam na materyal para gamitin sa mga application na may mataas na temperatura gaya ng power electronics, kung saan ang sobrang init ay maaaring magdulot ng mga isyu sa performance o maging ng pagkabigo.


Ang isa pang bentahe ng silicon carbide ay ang mataas na breakdown na boltahe nito, na nagbibigay-daan dito upang mahawakan ang mas mataas na boltahe at densidad ng kapangyarihan kaysa sa mga tradisyonal na materyales ng semiconductor. Ginagawa nitong partikular na kapaki-pakinabang sa mga application ng power electronics tulad ng mga inverter, na nagko-convert ng DC power sa AC power, at sa mga application ng kontrol ng motor.


Ang Silicon carbide ay mayroon ding mas mataas na electron mobility kaysa sa tradisyonal na semiconductors, na nangangahulugan na ang mga electron ay maaaring lumipat sa materyal nang mas mabilis. Ginagawang angkop ng property na ito para sa mga high-frequency na application tulad ng mga RF amplifier at microwave device.

Sa wakas, ang silicon carbide ay may mas malawak na bandgap kaysa sa tradisyonal na semiconductors, na nangangahulugan na maaari itong gumana sa mas mataas na temperatura nang hindi dumaranas ng thermal breakdown. Ginagawa nitong perpekto para sa paggamit sa mga application na may mataas na temperatura tulad ng aerospace at automotive electronics.


Sa konklusyon, ang silicon carbide ay isang tambalang semiconductor na may maraming mga pakinabang sa tradisyonal na mga materyales ng semiconductor. Ang mataas na thermal conductivity nito, mataas na breakdown boltahe, mataas na electron mobility, at mas malawak na bandgap ay ginagawa itong angkop para sa malawak na hanay ng mga electronic na application, lalo na sa mataas na temperatura, mataas na kapangyarihan, at mataas na dalas na mga aplikasyon. Habang patuloy na umuunlad ang teknolohiya, malamang na ang paggamit ng silicon carbide ay patuloy na lalago sa kahalagahan sa industriya ng semiconductor.





We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept