Ang makapal, high-purity na silicon carbide (SiC) na mga layer, na karaniwang lumalampas sa 1mm, ay mga kritikal na bahagi sa iba't ibang high-value na application, kabilang ang semiconductor fabrication at aerospace na teknolohiya. Sinisiyasat ng artikulong ito ang proseso ng Chemical Vapor Deposit......
Magbasa paAng Chemical Vapor Deposition (CVD) ay isang versatile thin-film deposition technique na malawakang ginagamit sa industriya ng semiconductor para sa paggawa ng mataas na kalidad, conformal thin films sa iba't ibang substrate. Ang prosesong ito ay nagsasangkot ng mga kemikal na reaksyon ng mga gas na......
Magbasa paAng artikulong ito ay nagsasaliksik sa paggamit at hinaharap na trajectory ng silicon carbide (SiC) na mga bangka na may kaugnayan sa mga quartz boat sa loob ng industriya ng semiconductor, partikular na nakatuon sa kanilang mga aplikasyon sa paggawa ng solar cell.
Magbasa paAng Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafer growth ay isang kumplikadong proseso, kadalasang gumagamit ng dalawang-hakbang na pamamaraan. Ang pamamaraang ito ay nagsasangkot ng ilang kritikal na yugto, kabilang ang mataas na temperatura na pagbe-bake, paglaki ng buffer layer, recrystallization, at pag......
Magbasa paAng parehong epitaxial at diffused wafers ay mahahalagang materyales sa paggawa ng semiconductor, ngunit malaki ang pagkakaiba ng mga ito sa kanilang mga proseso sa paggawa at mga target na aplikasyon. Tinutukoy ng artikulong ito ang mga pangunahing pagkakaiba sa pagitan ng mga uri ng wafer na ito.
Magbasa paAng pag-ukit ay isang mahalagang proseso sa paggawa ng semiconductor. Ang prosesong ito ay maaaring ikategorya sa dalawang uri: dry etching at wet etching. Ang bawat pamamaraan ay may sariling mga pakinabang at limitasyon, na ginagawang mahalaga na maunawaan ang mga pagkakaiba sa pagitan nila. Kaya,......
Magbasa pa