> Balita > Balita sa Industriya

Balita sa Industriya

Anong mga Hamon ang Kasangkot sa SiC Manufacturing?

Sa tanawin ng malawak na bandgap na mga semiconductor na materyales, ang silicon carbide (SiC) ay lumitaw bilang isang mataas na itinuturing na materyal, partikular na mahusay sa high-power conversion domain.

Magbasa pa

Ano ang Semiconductor Ion Implantation Technology?

Sa paggawa ng semiconductor, ang ion implantation ay nagsasangkot ng paggamit ng mga high-energy accelerators upang mag-iniksyon ng mga partikular na impurity atoms, tulad ng arsenic o boron, sa isang silicon substrate.

Magbasa pa

Pagsusupil

Ang pagsusubo pagkatapos ng ion implantation ay isang mahalagang hakbang sa paggawa ng semiconductor device, na nakakaapekto sa performance at reliability ng device.

Magbasa pa

Ang paglaki ng kristal ng AlN sa pamamagitan ng pamamaraang PVT

Ang ikatlong henerasyon ng malawak na bandgap na mga semiconductor na materyales, kabilang ang gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), at aluminum nitride (AlN), ay nagpapakita ng mahusay na electrical, thermal, at acousto-optical properties. Tinutugunan ng mga materyales na ito ang mga limita......

Magbasa pa

SiGe at Si Selective Etching Technology

Ang isang kritikal na hakbang sa paggawa ng mga n-type na GAAFET ay nagsasangkot ng high-selectivity etching ng SiGe: Si stack bago ang pag-deposito ng mga panloob na spacer, pagbuo ng mga silicon nanosheet at paglabas ng mga channel.

Magbasa pa

SiGe sa Chip Manufacturing: Isang Propesyonal na Ulat sa Balita

Upang matugunan ang mga pangangailangan para sa mataas na pagganap at mababang paggamit ng kuryente sa larangan ng modernong teknolohiya ng semiconductor, ang SiGe (Silicon Germanium) ay lumitaw bilang isang pinagsama-samang materyal na pinili sa paggawa ng semiconductor chip dahil sa kakaibang pisi......

Magbasa pa

<...4 5 6 7 8...31 >