> Balita > Balita sa Industriya

Balita sa Industriya

Isostatic Graphite Production Technology

Ang teknolohiya ng pagpindot sa isostatic ay isang kritikal na proseso sa paggawa ng isostatic graphite, na higit sa lahat ay tumutukoy sa pagganap ng panghuling produkto. Dahil dito, ang komprehensibong pananaliksik at pag-optimize ng isostatic graphite production ay nananatiling mahahalagang focal......

Magbasa pa

Pag-unlad ng Pananaliksik ng TaC Coatings sa Carbon-Based Material Surfaces

Ang mga materyales na nakabatay sa carbon tulad ng graphite, carbon fibers, at carbon/carbon (C/C) composites ay kilala sa kanilang mataas na partikular na lakas, mataas na partikular na modulus, at mahusay na mga katangian ng thermal, na ginagawang angkop ang mga ito para sa malawak na hanay ng mga......

Magbasa pa

Anong mga Aplikasyon ng Gallium Nitride (GaN) Substrate?

Ang Gallium Nitride (GaN) ay isang mahalagang materyal sa teknolohiyang semiconductor, na kilala sa pambihirang electronic at optical properties nito. Ang GaN, bilang isang wide-bandgap semiconductor, ay may bandgap energy na humigit-kumulang 3.4 eV, na ginagawa itong perpekto para sa high-power at ......

Magbasa pa

Mga Teknikal na Hamon sa Silicon Carbide Crystal Growth Furnace

Ang Silicon carbide (SiC) crystal growth furnaces ay ang pundasyon ng produksyon ng SiC wafer. Habang nagbabahagi ng mga pagkakatulad sa mga tradisyonal na silicon crystal growth furnace, ang mga SiC furnace ay nahaharap sa mga natatanging hamon dahil sa matinding kondisyon ng paglago ng materyal at......

Magbasa pa

Teknolohiya ng Paglilinis ng Graphite sa SiC semiconductor

Ang Graphite ay mahalaga sa paggawa ng Silicon Carbide (SiC) semiconductors, na kilala sa kanilang natatanging thermal at electrical properties. Ginagawa nitong perpekto ang SiC para sa mga high-power, high-temperatura, at high-frequency na application. Sa paggawa ng semiconductor ng SiC, ang graphi......

Magbasa pa

Paraan ng GaN Crystal Growth

Kapag gumagawa ng malalaking sukat na GaN solong kristal na substrate, ang HVPE ay kasalukuyang pinakamahusay na pagpipilian para sa komersyalisasyon. Gayunpaman, ang konsentrasyon ng back carrier ng lumaki na GaN ay hindi maaaring tumpak na makontrol.

Magbasa pa

<...4 5 6 7 8...22 >