PBN Ceramic Disc

Isa sa mga pinaka makabuluhang bentahe ng PBN Ceramic Disc ay ang napakataas na kadalisayan nito. Ang kadalisayan ng mga gaseous na materyales na ginamit sa proseso ng synthesis (BCl3 + NH3 -> BN + HCl) ay higit na lumampas sa mga conventional boron nitride powder. Dahil dito, nakakamit ng PBN Ceramic Disc ang antas ng kadalisayan na 99.99%, na may kabuuang mga impurities na may halagang mas mababa sa 100 parts per million (ppm). Ang pambihirang kadalisayan na ito ay mahalaga sa paggawa ng semiconductor, kung saan kahit na ang kaunting kontaminasyon ay maaaring humantong sa mga depekto sa mga elektronikong bahagi. Sa pamamagitan ng pagtiyak ng ganoong mataas na kadalisayan, pinapaliit ng PBN Ceramic Disc ang panganib ng kontaminasyon, sa gayo'y pinapahusay ang pagiging maaasahan at pagganap ng mga aparatong semiconductor.

Ang proseso ng CVD na ginamit sa paggawa ng PBN Ceramic Disc ay nagbibigay nito ng halos perpektong layered na istraktura. Pinapadali ng kakaibang istrukturang ito ang anisotropic thermal conductivity, isang property na lubos na kapaki-pakinabang para sa mga bahaging ginagamit sa furnace at vacuum system. Ang anisotropic thermal conductivity ay nagbibigay-daan sa PBN Ceramic Disc na epektibong pamahalaan ang pamamahagi ng init, na tinitiyak ang pare-parehong kontrol ng temperatura sa ibabaw ng disc. Ang kakayahang ito ay mahalaga sa mga proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor na nangangailangan ng tumpak na pamamahala ng thermal upang maiwasan ang mga thermal gradient na maaaring humantong sa mga pagkabigo o inefficiencies ng bahagi.

Sa mga tuntunin ng thermal resilience, ang PBN Ceramic Disc ay namumukod-tangi bilang isang huwarang materyal. Maaari itong makatiis ng mga temperatura hanggang 1800°C sa mga vacuum environment at 2000°C sa nitrogen, nang hindi nagpapakita ng melting point. Ang pambihirang thermal stability na ito ay ginagawa itong perpektong pagpipilian para sa mga bahagi ng furnace at mga natutunaw na sisidlan, kung saan ang matinding temperatura ay isang nakagawiang bahagi ng operasyon. Ang kakayahang mapanatili ang integridad ng istruktura sa ganoong mataas na temperatura ay nagsisiguro ng mahabang buhay at pagiging maaasahan, na binabawasan ang pangangailangan para sa madalas na pagpapalit at sa gayon ay nagpapababa ng pangkalahatang mga gastos sa pagpapatakbo.

Ang kawalang-kilos ng kemikal ay isa pang tanda ng PBN Ceramic Disc. Ito ay lumalaban sa mga reaksyon na may malawak na hanay ng mga sangkap, kabilang ang mga acid, alkalis, mga organikong solvent, nilusaw na metal, at grapayt. Ang inertness na ito ay partikular na kapaki-pakinabang sa paggawa ng semiconductor, kung saan karaniwan ang pagkakalantad sa mga reaktibong sangkap. Sa pamamagitan ng pananatiling hindi reaktibo, iniiwasan ng PBN Ceramic Disc ang mga hindi gustong kemikal na pakikipag-ugnayan na maaaring makompromiso ang integridad at functionality ng mga bahagi ng semiconductor.

Ang mga aplikasyon ng PBN Ceramic Disc sa industriya ng semiconductor ay magkakaiba at may epekto. Ang mga katangian nito ay ginagawa itong isang perpektong materyal para sa paggamit sa iba't ibang mataas na temperatura at mataas na kadalisayan na kapaligiran. Sa mga proseso ng paglago ng epitaxial, halimbawa, ang disc ay nagsisilbing isang mahalagang bahagi sa mga sistema ng deposition, kung saan ang kadalisayan at thermal conductivity nito ay nagsisiguro sa paggawa ng mga de-kalidad na layer ng semiconductor. Bukod pa rito, sa paggawa ng mga LED at iba pang mga optoelectronic na aparato, ang PBN Ceramic Disc ay nagbibigay ng matatag at maaasahang platform na sumusuporta sa masalimuot na proseso na kinakailangan upang makamit ang pinakamainam na pagganap ng device.

Bukod dito, ang tungkulin ng PBN Ceramic Disc ay umaabot sa paggawa ng mga power electronic device. Ang mga device na ito ay madalas na gumagana sa mataas na temperatura at nangangailangan ng mga materyales na maaaring mapanatili ang pagganap sa ilalim ng gayong mga kundisyon. Ang mahusay na thermal at kemikal na katangian ng PBN Ceramic Disc ay ginagawa itong angkop na pagpipilian para sa mga substrate at iba pang bahagi sa loob ng power electronic system, na nag-aambag sa kahusayan at tibay ng mga device na ito.

Mga Istraktura ng Boron Nitride