Bahay > Mga produkto > Pinahiran ng Silicon Carbide > Barrel Susceptor > SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel
SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel

SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel

Ang Semicorex SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel ay isang top-quality graphite product na pinahiran ng high-purity SiC. Ang napakahusay na density at thermal conductivity nito ay ginagawa itong perpektong pagpipilian para sa paggamit sa mga proseso ng LPE, na nagbibigay ng pambihirang pamamahagi ng init at proteksyon sa mga kinakaing unti-unti at mataas na temperatura na kapaligiran.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Pagdating sa pagmamanupaktura ng semiconductor, ang Semicorex SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel ang dapat piliin para sa mahusay na pagganap at pambihirang pamamahagi ng init. Pinahiran ng high-purity na SiC, ang produktong graphite na ito ay nagbibigay ng namumukod-tanging corrosion at heat resistance, na tinitiyak ang maaasahan at pare-parehong mga resulta sa bawat oras.

Sa Semicorex, nakatuon kami sa pagbibigay ng mataas na kalidad, matipid na mga produkto sa aming mga customer. Ang aming SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel ay may kalamangan sa presyo at ini-export sa maraming European at American market. Nilalayon naming maging iyong pangmatagalang kasosyo, na naghahatid ng pare-parehong kalidad ng mga produkto at pambihirang serbisyo sa customer.


Mga Parameter ng SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel

Pangunahing Detalye ng CVD-SIC Coating

Mga Katangian ng SiC-CVD

Istraktura ng Kristal

FCC β phase

Densidad

g/cm ³

3.21

Katigasan

Vickers tigas

2500

Sukat ng Butil

μm

2~10

Kalinisan ng Kemikal

%

99.99995

Kapasidad ng init

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura ng Sublimation

2700

Lakas ng Felexural

MPa (RT 4-point)

415

Youngâ s Modulus

Gpa (4pt bend, 1300â)

430

Thermal Expansion (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Thermal conductivity

(W/mK)

300


Mga Tampok ng SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel

- Parehong ang graphite substrate at silicon carbide layer ay may magandang density at maaaring gumanap ng isang mahusay na proteksiyon na papel sa mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na mga kapaligiran sa pagtatrabaho.

- Silicon carbide coated susceptor na ginagamit para sa solong paglaki ng kristal ay may napakataas na flatness sa ibabaw.

- Bawasan ang pagkakaiba sa thermal expansion coefficient sa pagitan ng graphite substrate at silicon carbide layer, epektibong mapabuti ang lakas ng bonding upang maiwasan ang pag-crack at delamination.

- Parehong ang graphite substrate at silicon carbide layer ay may mataas na thermal conductivity, at mahusay na mga katangian ng pamamahagi ng init.

- Mataas na punto ng pagkatunaw, mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon, paglaban sa kaagnasan.




Mga Hot Tags: SiC Coated Epitaxial Reactor Barrel, China, Mga Manufacturer, Supplier, Pabrika, Customized, Bulk, Advanced, Matibay

Kaugnay na Kategorya

Magpadala ng Inquiry

Mangyaring huwag mag-atubiling ibigay ang iyong pagtatanong sa form sa ibaba. Sasagot kami sa iyo sa loob ng 24 na oras.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept