Sic coated halfmoon bahagi

Ang mga bahagi ng halfmoon, na pinahiran ng premium na silikon na karbida (sic), ay isang mahalagang tampok ng mga proseso ng epitaxy bilang parehong mga wafer carriers at thermal conductors. Ang kanilang dalubhasang hugis ng kalahating buwan ay nagbibigay ng isang paraan ng pagtitipon sa isang cylindrical form na nagsisilbing isang kabit sa loob ng mga epitaxial reaktor. Sa loob ng silid ng silid o reaktor, ang mga wafer ay kailangang mai-secure ngunit pantay din na pinainit habang nagaganap ang kritikal na pag-aalis ng film. Ang SIC coated halfmoon na bahagi ay nagbibigay lamang ng tamang dami ng mekanikal na suporta, thermal stabil, at tibay ng kemikal upang maisagawa ang mga gawaing ito.

Grapaytay ang materyal na substrate para sa mga bahagi ng halfmoon at pinili dahil sa napakagandang thermal conductivity at medyo mababa ang timbang at lakas. Ang ibabaw ng grapayt ay natatakpan ng isang siksik na mataas na kadalisayan na singaw ng kemikal na idineposito ng silikon na karbida (CVD sic) na ibabaw na maging matatag laban sa mga agresibong kapaligiran na nauugnay sa paglaki ng epitaxial. Ang patong ng SIC ay nagpapabuti sa katigasan ng ibabaw ng mga bahagi at nagbibigay ng pagtutol sa mga reaktibo na gas tulad ng hydrogen at murang luntian, na nagbibigay ng mahusay na pangmatagalang katatagan at napaka-limitadong kontaminasyon sa panahon ng pagproseso. Ang Graphite at SIC ay nagtutulungan sa mga bahagi ng halfmoon upang magbigay ng tamang balanse ng lakas ng mekanikal na may mga katangian ng kemikal at thermal.

Isa sa mga pinakamahalagang papel ngPinahiran ng sicAng mga bahagi ng halfmoon ay ang suporta ng mga wafer. Ang mga wafer ay inaasahan na maging flat at matatag sa buong buong epitaxy upang mapadali ang isang kahit na paglaki ng istraktura ng sala -sala sa mga layer ng mala -kristal. Ang anumang antas ng kakayahang umangkop o kawalang -tatag sa mga sumusuporta sa mga bahagi ay maaaring magpakilala ng mga layer ng depekto sa epitaxy at sa huli ay nakakaapekto sa pagganap ng aparato. Ang mga bahagi ng halfmoon ay maingat na ginawa para sa panghuli dimensional na katatagan sa mataas na temperatura upang limitahan ang potensyal na warping at magbigay ng naaangkop na paglalagay ng wafer sa ilalim ng anumang naibigay na epitaxial recipe. Ang integridad ng istruktura na ito ay isinasalin sa mas mahusay na kalidad ng epitaxial at mas malaking ani.

Ang isang pantay na mahalagang pag -andar ng mga bahagi ng halfmoon ay thermal conduction. Sa isang epitaxial kamara, ang uniporme, matatag na estado ng thermal conductivity ay susi upang makakuha ng mataas na kalidad na manipis na pelikula. Ang Graphite Core ay perpektong angkop para sa thermal conductivity upang makatulong sa proseso ng pag -init at mapadali ang pamamahagi ng temperatura. Pinoprotektahan ng SIC coating ang core mula sa thermal pagkapagod, marawal na kalagayan at kontaminasyon sa proseso. Samakatuwid, ang mga wafer ay maaaring pantay na pinainit upang makamit ang pantay na paglipat ng temperatura at suportahan ang pagbuo ng mga layer na epitaxial na walang depekto. Sa madaling salita, para sa mga manipis na proseso ng paglago ng pelikula na humihiling ng mga tiyak na thermal na kondisyon, ang SIC coated halfmoon na mga bahagi ay nag -aalok ng parehong kahusayan at pagiging maaasahan. Ang kahabaan ng buhay ay isang pangunahing aspeto ng mga sangkap. Ang epitaxy ay madalas na binubuo ng thermal cycling sa nakataas na temperatura sa labis na kung ano ang karaniwang mga materyales sa konstruksyon na maaaring magtiis nang walang pagkasira.

Ang kalinisan ay isa pang mahalagang pakinabang. Dahil ang epitaxy ay napaka -sensitibo sa kontaminasyon, gamit ang CVD sic coating ng natatanging mataas na kadalisayan ay nag -aalis ng kontaminasyon mula sa silid ng reaksyon. Pinapaliit nito ang henerasyon ng butil at pinoprotektahan ang mga wafer mula sa mga depekto. Ang patuloy na pagbagsak ng mga geometry ng aparato at patuloy na pagdidikit ng mga kinakailangan sa proseso ng epitaxial ay ginagawang mahalaga ang control control upang ma -secure ang pare -pareho ang kalidad ng produksyon.

Ang Semicorex sic na pinahiran na mga bahagi ng halfmoon ay hindi lamang tinutugunan ang mga alalahanin sa kalinisan, nababaluktot din sila at maaaring maiakma upang magkasya sa iba't ibang mga pagsasaayos ng epitaxial system. Maaari rin silang makagawa sa ilang mga sukat, kapal ng patong, at mga disenyo/pagpapaubaya na umaangkop sa hypothetically sa eksaktong kagamitan. Ang kakayahang umangkop na ito ay tumutulong sa pagtiyak na ang mga umiiral na kagamitan ay maaaring pagsamahin nang walang putol at mapanatili ang pinaka -kanais -nais na pagiging tugma sa proseso.