SiC Coated MOCVD Graphite Satellite Platform

Ang Semicorex ay isang kagalang-galang na supplier at tagagawa ng SiC Coated MOCVD Graphite Satellite Platform. Ang aming produkto ay espesyal na idinisenyo upang matugunan ang mga pangangailangan ng industriya ng semiconductor sa pagpapalaki ng epitaxial layer sa wafer chip. Ginagamit ang produkto bilang center plate sa MOCVD, na may disenyong gear o hugis singsing. Ito ay may mataas na init at paglaban sa kaagnasan, na ginagawa itong perpekto para sa paggamit sa matinding kapaligiran.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Isa sa mga pinakamahalagang feature ng aming SiC Coated MOCVD Graphite Satellite Platform ay ang kakayahan nitong tiyakin ang coating sa lahat ng surface, pag-iwas sa pagbabalat. Mayroon itong mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon, na tinitiyak ang katatagan kahit na sa mataas na temperatura na hanggang 1600°C. Ang produkto ay ginawa na may mataas na kadalisayan sa pamamagitan ng CVD chemical vapor deposition sa ilalim ng mataas na temperatura na mga kondisyon ng chlorination. Ito ay may siksik na ibabaw na may mga pinong particle, na ginagawa itong lubos na lumalaban sa kaagnasan mula sa acid, alkali, asin, at mga organic na reagents.
Ang aming SiC Coated MOCVD Graphite Satellite Platform ay idinisenyo upang garantiya ang pinakamahusay na pattern ng daloy ng laminar gas, na tinitiyak ang pagiging pantay ng thermal profile. Pinipigilan nito ang anumang kontaminasyon o pagsasabog ng mga impurities, na tinitiyak ang mataas na kalidad na paglaki ng epitaxial sa wafer chip. Nag-aalok kami ng mapagkumpitensyang pagpepresyo para sa aming produkto, na ginagawa itong naa-access sa maraming customer. Ang aming koponan ay nakatuon sa pagbibigay ng mahusay na serbisyo at suporta sa customer. Sinasaklaw namin ang marami sa mga European at American market, at nagsusumikap kaming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa pagbibigay ng de-kalidad at maaasahang SiC Coated MOCVD Graphite Satellite Platform. Makipag-ugnayan sa amin ngayon para matuto pa tungkol sa aming produkto.

Mga Parameter ng SiC Coated MOCVD Graphite Satellite Platform

Pangunahing Pagtutukoy ng CVD-SIC Coating
Mga Katangian ng SiC-CVD
Istraktura ng Kristal	FCC β phase
Densidad	g/cm ³	3.21
Katigasan	Vickers tigas	2500
Sukat ng Butil	μm	2~10
Kadalisayan ng Kemikal	%	99.99995
Kapasidad ng init	J kg-1 K-1	640
Temperatura ng Sublimation	℃	2700
Lakas ng Felexural	MPa (RT 4-point)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Thermal Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300

Mga Tampok ng SiC Coated MOCVD Graphite Satellite Platform

- Iwasan ang pagbabalat at tiyakin ang patong sa lahat ng ibabaw
Mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon: Matatag sa mataas na temperatura hanggang sa 1600°C
Mataas na kadalisayan: ginawa ng CVD chemical vapor deposition sa ilalim ng mataas na temperatura na mga kondisyon ng chlorination.
Corrosion resistance: mataas na tigas, siksik na ibabaw at pinong mga particle.
Corrosion resistance: acid, alkali, asin at organic reagents.
- Makamit ang pinakamahusay na pattern ng daloy ng laminar gas
- Garantiyahin ang pagkapantay ng thermal profile
- Pigilan ang anumang kontaminasyon o pagkalat ng mga impurities