ALD Planetary Susceptor

Mga Application:

High-k dielectric deposition: Ang ALD Planetary Susceptor ay nagpapakita ng mahusay na pagtutol sa mga agresibong precursor na ginagamit sa pagdedeposito ng mga high-k dielectric na materyales tulad ng hafnium oxide (HfO2) at aluminum oxide (Al2O3). Ginagawa nitong angkop ang ALD Planetary Susceptor para sa paggawa ng mga transistor na may mataas na pagganap para sa mga application ng logic at memorya.

Mga layer ng metalisasyon: Ang katatagan ng mataas na temperatura ng ALD Planetary Susceptor ay nagbibigay-daan para sa pagdeposito ng mga layer ng metallization sa mataas na temperatura, na humahantong sa pinahusay na mga katangian ng pelikula tulad ng mas mababang resistivity at mas mataas na density. Ito ay mahalaga para sa paglikha ng mahusay na mga interconnect sa mga advanced na semiconductor device.

Paggawa ng optoelectronic na aparato:Ang inert na katangian ng ALD Planetary Susceptor ay nagpapaliit ng mga hindi gustong reaksyon gamit ang mga precursor na ginagamit sa pagdedeposito ng mga sensitibong materyales tulad ng III-V semiconductors, na ginagawang perpektong akma ang ALD Planetary Susceptor para sa pagmamanupaktura ng mga LED, laser, at iba pang bahagi ng optoelectronic.

Ikot ng ALD

Atomic Layer Deposition (ALD)nag-aalok ng ilang mga pangunahing bentahe sa iba pang mga thin-film deposition technique, na ginagawa itong lalong popular para sa iba't ibang mga aplikasyon, lalo na sa microelectronics at nanotechnology.

Narito ang ilan sa mga pangunahing bentahe ng ALD:

1. Angstrom-Level Thickness Control:

Ang ALD ay nagbibigay-daan para sa tumpak na kontrol ng kapal ng pelikula hanggang sa antas ng angstrom (0.1 nanometer). Ang antas ng katumpakan na ito ay nakakamit sa pamamagitan ng sarili nitong paglilimita sa mga reaksyon sa ibabaw, kung saan ang bawat cycle ay nagdedeposito ng isang atomic layer.

2. Napakahusay na Pagkakatulad at Pagkakaayon:

Ang ALD ay nagpapakita ng pambihirang pagkakapareho sa malalaking lugar sa ibabaw at kumplikadong 3D na istruktura, kabilang ang mga feature na may mataas na aspect ratio tulad ng trenches at vias. Ito ay mahalaga para sa mga application na nangangailangan ng pare-parehong coatings sa masalimuot na geometries, tulad ng sa semiconductor device.

3. Mababang Temperatura ng Deposition:

Maaaring isagawa ang ALD sa medyo mababang temperatura (madalas na mas mababa sa 300°C) kumpara sa iba pang mga diskarte sa pag-deposition. Ito ay kapaki-pakinabang para sa mga substrate na sensitibo sa init at nagbibigay-daan sa paggamit ng mas malawak na hanay ng mga materyales.

4. Mga De-kalidad na Pelikula:

Karaniwang gumagawa ang ALD ng mga pelikulang may mahusay na density, mababang antas ng karumihan, at mataas na pagkakapareho sa komposisyon at kapal. Ang mga katangiang ito ay mahalaga para sa pagkamit ng pinakamainam na pagganap sa iba't ibang mga aplikasyon.

5. Malawak na Pagpili ng Materyal:

Nag-aalok ang ALD ng malawak na seleksyon ng mga materyales na maaaring ideposito, kabilang ang mga oxide, nitride, metal, at sulfide. Ang kakayahang magamit na ito ay ginagawang angkop para sa isang malawak na hanay ng mga aplikasyon.

6. Scalability at Industrial Applicability:

Ang teknolohiya ng ALD ay lubos na nasusukat at maaaring madaling isama sa mga kasalukuyang proseso ng pagmamanupaktura. Ito ay katugma sa iba't ibang laki at hugis ng substrate, na ginagawang angkop para sa paggawa ng mataas na volume.