Epitaxial Single-crystal Si Plate

ang Epitaxial Single-crystal Si Plate ay sumasaklaw sa zenith ng refinement, durability, at dependability para sa mga application na nauukol sa graphite epitaxy at pagmamanipula ng wafer. Ito ay nakikilala sa pamamagitan ng kanyang density, planarity, at mga kakayahan sa pamamahala ng thermal, na ipinoposisyon ito bilang pinakamainam na pagpili para sa mahigpit na mga kondisyon sa pagpapatakbo. Ang pangako ng Semicorex sa kalidad na nangunguna sa merkado, na kaakibat ng mapagkumpitensyang pagsasaalang-alang sa pananalapi, ay nagpapatibay sa aming kasabikan na magtatag ng mga pakikipagtulungan sa pagtupad sa iyong mga kinakailangan sa paghahatid ng semiconductor wafer.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Ang pinakamahalagang katangian ng Epitaxial Single-crystal Si Plate ay nakasalalay sa superior density nito. Ang pagsasama ng isang graphite substrate na may silicon carbide coating ay nagbubunga ng isang komprehensibong densidad na sanay sa pagprotekta laban sa mahigpit na mga kondisyon na nakatagpo sa mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na mga kapaligiran. Bukod dito, ang silicon carbide-coated na susceptor, na iniakma para sa synthesis ng mga solong kristal, ay ipinagmamalaki ang isang pambihirang pantay na profile sa ibabaw - isang kritikal na determinant para sa napapanatiling produksyon ng mga wafer na walang kamali-mali na kalidad.

Ang parehong mahalaga sa disenyo ng aming produkto ay ang pagpapagaan ng mga pagkakaiba sa thermal expansion sa pagitan ng graphite core at ng silicon carbide covering nito. Ang ganitong inobasyon ay lubos na nagpapataas ng tibay ng malagkit, kaya naiiwasan ang mga phenomena ng mga fissure at stratification. Kasabay nito, ang Epitaxial Single-crystal Si Plate ay nagpapakita ng mataas na thermal conductivity, na ipinares sa isang kapuri-puring propensity para sa pare-parehong paglalaan ng init - mga salik na nakatulong sa pagkamit ng homogeneity ng temperatura sa panahon ng produksyon cycle.

Bukod dito, ang Epitaxial Single-crystal Si Plate ay nagpapakita ng kapuri-puring resilience sa oxidative at corrosive degradation sa mataas na temperatura, na nagpapatibay sa mahabang buhay at pagiging maaasahan nito. Ang threshold nito para sa thermal endurance ay binibigyang-diin ng isang makabuluhang punto ng pagkatunaw, sa gayo'y tinitiyak ang kapasidad nito na tiisin ang hinihinging thermal milieu na intrinsic sa mahusay na paggawa ng semiconductor.