Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor

Ang aming Monocrystalline Silicon epitaxial Susceptor ay isang graphite na produkto na pinahiran ng high-purity SiC, na may mataas na init at corrosion resistance. Ang CVD silicon carbide coated carrier ay ginagamit sa mga proseso na bumubuo ng epitaxial layer sa semiconductor wafers. Mayroon itong mataas na thermal conductivity at mahusay na mga katangian ng pamamahagi ng init, na mahalaga para sa mahusay at tumpak na mga proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor.
Isa sa mga pangunahing tampok ng aming Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor ay ang mahusay na density nito. Parehong ang graphite substrate at ang silicon carbide layer ay may magandang density at maaaring gumanap ng isang mahusay na proteksiyon na papel sa mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na mga kapaligiran sa pagtatrabaho. Ang silicon carbide coated susceptor na ginagamit para sa solong paglaki ng kristal ay may napakataas na flatness sa ibabaw, na mahalaga para sa pagpapanatili ng mataas na kalidad na produksyon ng wafer.
Ang isa pang mahalagang tampok ng aming produkto ay ang kakayahang bawasan ang pagkakaiba sa koepisyent ng thermal expansion sa pagitan ng graphite substrate at silicon carbide layer. Ito ay epektibong nagpapabuti sa lakas ng pagbubuklod, na pumipigil sa pag-crack at delamination. Bukod pa rito, ang parehong graphite substrate at silicon carbide layer ay may mataas na thermal conductivity at mahusay na mga katangian ng pamamahagi ng init, na tinitiyak na ang init ay ipinamamahagi nang pantay-pantay sa panahon ng proseso ng pagmamanupaktura.
Ang aming Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor ay lumalaban din sa mataas na temperatura na oksihenasyon at kaagnasan, na ginagawa itong maaasahan at matibay na produkto. Tinitiyak ng mataas na punto ng pagkatunaw nito na makatiis ito sa kapaligirang may mataas na temperatura na kinakailangan para sa mahusay na paggawa ng semiconductor.
Sa konklusyon, ang Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor ay isang ultra-pure, matibay, at maaasahang solusyon para sa mga proseso ng graphite epitaxy at wafer handling. Ang napakahusay na density, flatness sa ibabaw, at thermal conductivity nito ay ginagawa itong perpekto para sa paggamit sa mataas na temperatura at kinakaing unti-unti na mga kapaligiran. Ipinagmamalaki namin ang pagbibigay ng mga de-kalidad na produkto sa mapagkumpitensyang presyo at umaasa kaming makipagsosyo sa iyo para sa lahat ng iyong pangangailangan sa semiconductor wafer carrier.

Mga Parameter ng Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor

Mga Tampok ng Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor

- Iwasan ang pagbabalat at tiyakin ang patong sa lahat ng ibabaw
Mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon: Matatag sa mataas na temperatura hanggang sa 1600°C
Mataas na kadalisayan: ginawa ng CVD chemical vapor deposition sa ilalim ng mataas na temperatura na mga kondisyon ng chlorination.
Corrosion resistance: mataas na tigas, siksik na ibabaw at pinong mga particle.
Corrosion resistance: acid, alkali, asin at organic reagents.
- Makamit ang pinakamahusay na pattern ng daloy ng laminar gas
- Garantiyahin ang pagkapantay ng thermal profile
- Pigilan ang anumang kontaminasyon o pagkalat ng mga impurities