Graphite Susceptor na may SiC Coating

Ang SiC coating sa Graphite Susceptor na may SiC Coating ay nagsisilbi sa maraming layunin. Una, nagbibigay ito ng pinahusay na thermal stability, na nagbibigay-daan para sa tumpak na kontrol sa mga gradient ng temperatura sa panahon ng mga proseso ng paglago ng epitaxial. Ang katatagan na ito ay mahalaga para sa pagkamit ng pare-pareho at mataas na kalidad na mga layer ng silikon sa mga semiconductor wafer. Ang SiC coating sa Graphite Susceptor na may SiC Coating ay nag-aalok ng mahusay na resistensya sa chemical corrosion at thermal shock, na pinangangalagaan ang integridad ng susceptor kahit na sa ilalim ng hinihingi na mga kondisyon ng proseso. Ang tibay na ito ay isinasalin sa pinahabang buhay ng pagpapatakbo at pinababang downtime, sa huli ay nag-aambag sa mas mataas na produktibidad at pagiging epektibo sa gastos para sa mga pasilidad sa paggawa ng semiconductor.

Ang disenyo ng barrel ng Graphite Susceptor na may SiC Coating ay nagpapadali sa mahusay na pag-load at pag-unload ng mga wafer, na nag-optimize ng throughput sa mga proseso ng epitaxy. Bukod pa rito, ang Graphite Susceptor na may SiC Coating ay isang customized na produkto, at maaari itong iakma upang matugunan ang mga partikular na kinakailangan at kagustuhan ng mga tagagawa ng semiconductor, na tinitiyak ang pagiging tugma sa iba't ibang configuration ng kagamitan at mga parameter ng proseso.