SiC Barrel para sa Silicon Epitaxy

Ang Semicorex SiC Barrel Para sa Silicon Epitaxy ay itinayo gamit ang materyal na grapayt na pinahiran ng Silicon Carbide (SiC). Tinitiyak ng natatanging konstruksyon na ito ang mahusay na paglaban sa mga thermal shock at pagkasira ng kemikal, na nagpapahaba sa habang-buhay ng susceptor at nagpapanatili ng pagiging maaasahan ng proseso.

Ang advanced na SiC coating sa SiC Barrel For Silicon Epitaxy ay nagbibigay ng superior thermal conductivity at heat distribution, na nagpo-promote ng mga pare-parehong profile ng temperatura sa buong susceptor. Pinahuhusay nito ang kontrol sa proseso, pinapaliit ang mga thermal gradient, at tinitiyak ang pare-parehong paglaki ng epitaxial layer, na nagreresulta sa mga de-kalidad na silicon film na may pambihirang pagkakapareho at kadalisayan.

Ang aming SiC Barrel Para sa Silicon Epitaxy ay maaaring ipasadya upang matugunan ang mga partikular na kinakailangan at kagustuhan. Mula sa mga pagsasaayos ng laki hanggang sa mga pagkakaiba-iba ng kapal ng coating, nag-aalok kami ng flexibility sa disenyo upang ma-accommodate ang iba't ibang mga parameter ng proseso at i-optimize ang pagganap para sa mga partikular na application.

Ang aming SiC Barrel For Silicon Epitaxy ay nag-aalok ng pagiging maaasahan at mahabang buhay, na binabawasan ang downtime at mga gastos sa pagpapanatili na nauugnay sa madalas na pagpapalit. Ang matatag na konstruksyon at pambihirang pagganap nito ay nag-aambag sa pinahusay na kahusayan sa proseso, sa huli ay nagpapahusay sa pagiging produktibo at pagiging epektibo sa gastos para sa mga operasyon ng pagmamanupaktura ng semiconductor.