High-purity na Porous Graphite Material

Ang high-purity porous graphite na materyal, na partikular na ipinakita ng Semicorex porous graphite, ay nakatayo bilang isang tuktok sa mga materyales na ginagamit para sa SiC (Silicon Carbide) na solong paglago ng kristal sa industriya ng semiconductor. Ang espesyal na materyal na grapayt na ito ay inengineered na may masusing pagtutok sa napakataas na kadalisayan at pambihirang open porosity, na ginagawa itong isang top-notch na pagpipilian para sa hinihingi na mga aplikasyon sa mga proseso ng paglago ng kristal.

Ang natatanging tampok ng Semicorex porous graphite ay nakasalalay sa walang kapantay na kadalisayan nito, na tinitiyak ang kaunting mga dumi na maaaring makompromiso ang integridad ng proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang mataas na antas ng kadalisayan na ito ay kinakailangan para sa paglago ng solong kristal ng SiC, dahil ang anumang mga contaminant ay maaaring makaapekto sa mga electrical at structural na katangian ng nagreresultang materyal na semiconductor.

Higit pa rito, ipinagmamalaki ng Semicorex porous graphite ang mataas na open porosity, isang pangunahing katangian para sa mahusay at kontroladong paglaki ng kristal. Pinapadali ng bukas na porosity ang tumpak na kontrol ng daloy ng gas at pamamahagi ng init sa panahon ng proseso ng paglaki ng kristal, na nag-aambag sa paggawa ng de-kalidad na SiC na solong kristal na may pare-parehong katangian.

Ang pinakamataas na kalidad ng materyal ay higit pa sa kemikal at pisikal na katangian nito. Ang semicorex porous graphite ay maingat na ginawa at ginagamot upang matugunan ang mahigpit na mga kinakailangan ng industriya ng semiconductor. Ang pagiging maaasahan, pagkakapare-pareho, at pagganap nito ay ginagawa itong isang ginustong pagpipilian para sa mga tagagawa ng semiconductor na nakikibahagi sa SiC single crystal growth.