Ultra-Thin Graphite na may Mataas na Porosity

Superior Surface Particle Adhesion at Napakahusay na Anti-Dusting Characteristics: Ang Semicorex Ultra-Thin Graphite na may High Porosity ay nagpapakita ng pambihirang surface particle adhesion, tinitiyak ang kaunting dust generation at pagpapanatili ng malinis na working environment, na napakahalaga para sa mga sensitibong application gaya ng semiconductor manufacturing.

High-Temperature Tolerance: ang Ultra-Thin Graphite na may High Porosity ay kayang tiisin ang matinding temperatura hanggang 2500°C, na ginagawa itong angkop para sa mga proseso at kapaligirang may mataas na temperatura kung saan mabibigo ang mga kumbensyonal na materyales.

Mataas na Porosity hanggang 65%: Ang mataas na porosity ng porous graphite ay nagbibigay-daan para sa mahusay na daloy ng gas at fluid, na nagpapagana ng mass transfer at heat dissipation sa iba't ibang aplikasyon.

Ang Ultra-Thin Porous Graphite na may Napakahusay na Machinability: ang Ultra-Thin Graphite na may High Porosity ay maaaring gawing ultra-thin sheet na kasingnipis ng 1.5mm habang pinapanatili ang mataas na porosity, na nagbibigay ng flexibility sa disenyo at aplikasyon.

Machinability para sa Ultra-Thin Walled Cylindrical na Hugis: ang Ultra-Thin Graphite na may High Porosity ay maaaring i-machine sa mga ultra-thin walled cylindrical na hugis na may kapal ng pader na ≤1mm, na nag-aalok ng versatility sa disenyo at functionality ng bahagi.

Napakahusay na Insulating Properties at Batch Consistency: ang Ultra-Thin Graphite na may High Porosity ay nagpapakita ng mga namumukod-tanging katangian ng insulating at pare-parehong batch-to-batch na performance, na tinitiyak ang maaasahan at reproducible na mga resulta sa mga kritikal na aplikasyon.

Ultra-Pure Porous Graphite Material: ang Ultra-Thin Graphite na may High Porosity ay available sa mga ultra-pure form, na nakakamit ng mataas na antas ng purity na mahalaga para sa hinihingi na mga application tulad ng semiconductor manufacturing.

Mataas na Lakas: Sa kabila ng porous na kalikasan nito, ang Ultra-Thin Graphite na may High Porosity ay nagpapakita ng kahanga-hangang lakas, ginagawa itong angkop para sa mga structural na bahagi at mga application na nagdadala ng pagkarga.

Mga Application sa Semiconductor Manufacturing:

Ang Ultra-Thin Graphite na may High Porosity ay pangunahing ginagamit sa industriya ng semiconductor, partikular sa proseso ng paglipat ng masa ng nobela. Gumagamit ang prosesong ito ng bagong thermal field para sa single-pass mass transfer, na makabuluhang pinahuhusay ang kahusayan sa paglipat at pinapanatili ang isang pare-parehong rate, at sa gayon ay binabawasan ang epekto ng recrystallization (pag-iwas sa double-pass mass transfer) at epektibong pinapaliit ang micro-piping o iba pang kaugnay na mga depekto sa kristal. Bukod pa rito, nakakatulong ang porous graphite na balansehin ang mga bahagi ng gas phase, ihiwalay ang mga bakas na dumi, ayusin ang mga lokal na temperatura, at bawasan ang pisikal na encapsulation ng particle. Sa pamamagitan ng pagtugon sa mga kinakailangan para sa kakayahang magamit ng kristal, ang porous graphite ay nagbibigay-daan sa isang malaking pagtaas sa kapal ng kristal, na ginagawa itong isang pangunahing teknolohiya para sa pagtugon sa hamon ng lumalaking mas makapal na mga kristal.