Pahalang na SiC Wafer Boat

Ang isang tiyak na tampok ng Semicorex Horizontal SiC Wafer Boat ay ang maselang idinisenyong slotted na arkitektura nito, na partikular na iniakma upang ligtas na hawakan ang mga wafer sa lugar sa iba't ibang proseso ng mataas na temperatura. Ang tumpak na hadlang ng wafer na ito ay nagsisilbi sa ilang kritikal na pag-andar:

Pag-aalis ng Wafer Movement:Sa pamamagitan ng pagpigil sa hindi gustong pag-slide o paglilipat, tinitiyak ng Horizontal SiC Wafer Boat ang pare-parehong pagkakalantad sa mga proseso ng gas at mga profile ng temperatura, na nag-aambag sa lubos na pare-parehong pagproseso ng wafer at pinapaliit ang panganib ng mga depekto.

Pinahusay na Pagkakatulad ng Proseso:Ang pare-parehong pagpoposisyon ng wafer ay direktang isinasalin sa higit na pagkakapareho sa mga kritikal na parameter tulad ng kapal ng layer, mga konsentrasyon ng doping, at morpolohiya sa ibabaw. Ang katumpakan na ito ay partikular na mahalaga sa mga application tulad ng chemical vapor deposition (CVD) at diffusion, kung saan kahit na ang kaunting variation ay maaaring makabuluhang makaapekto sa performance ng device.

Pinababang Pinsala ng Wafer:Ang secure na hold ng Horizontal SiC Wafer Boat ay nagpapaliit sa potensyal para sa wafer chipping, pagbasag, o scratching sa panahon ng paghawak at transportasyon, na mahalaga para sa pagpapanatili ng mataas na ani at pagbabawas ng mga gastos sa pagmamanupaktura.

Higit pa sa kanilang katumpakan na disenyo, ang Horizontal SiC Wafer Boat ay nag-aalok ng nakakahimok na kumbinasyon ng mga materyal na katangian na ginagawa itong perpekto para sa semiconductor at photovoltaic manufacturing:

Matinding Paglaban sa Temperatura: Ang Horizontal SiC Wafer Boat ay nagpapakita ng pambihirang lakas at katatagan ng mataas na temperatura, na nagbibigay-daan dito na makayanan ang matinding thermal condition na nararanasan sa panahon ng mga proseso tulad ng crystal growth, annealing, at rapid thermal processing (RTP) nang walang deformation o degradation.

Ultra-High Purity para sa Contamination Control:Tinitiyak ng paggamit ng high-purity na SiC ang kaunting outgassing o pagbuo ng particulate, na pinangangalagaan ang integridad ng mga sensitibong ibabaw ng wafer at pinipigilan ang kontaminasyon na maaaring makakompromiso sa performance ng device.

Pambihirang Katatagan ng Kemikal:Ang likas na inertness ng SiC ay ginagawang lubos na lumalaban ang Horizontal SiC Wafer Boat sa pag-atake mula sa mga corrosive na gas at kemikal na karaniwang ginagamit sa semiconductor at photovoltaic fabrication. Tinitiyak ng matatag na katatagan ng kemikal na ito ang mahabang buhay ng pagpapatakbo at pinapaliit ang panganib ng cross-contamination sa pagitan ng mga proseso.

Ang versatility at performance advantage ng Horizontal SiC Wafer Boat ay humantong sa malawakang paggamit nito sa isang hanay ng mga kritikal na semiconductor at photovoltaic na proseso ng pagmamanupaktura:

Epitaxial Growth:Ang tumpak na pagpoposisyon ng wafer at pagkakapareho ng temperatura ay mahalaga para sa pagkamit ng mga de-kalidad na epitaxial layer sa mga advanced na semiconductor device, na ginagawang mahalagang tool ang Horizontal SiC Wafer Boat para sa prosesong ito.

Diffusion at Ion Implantation:Ang tumpak na kontrol ng doping ay higit sa lahat sa pagtukoy sa mga katangian ng elektrikal ng mga semiconductor na aparato. Tinitiyak ng Horizontal SiC Wafer Boat ang tumpak na pagpoposisyon ng wafer sa mga prosesong ito, na humahantong sa pinahusay na pagkakapareho at pagganap ng device.

Paggawa ng Solar Cell:Ang mga kakayahan sa mataas na temperatura at paglaban sa kemikal ng Horizontal SiC Wafer Boat ay ginagawa itong perpekto para sa pagproseso ng mga silicon na wafer na ginagamit sa mga photovoltaic cell, na nag-aambag sa pagtaas ng kahusayan at mahabang buhay ng mga solar energy system.