Ltoi wafer

Nag-aalok ang Semicorex ng mataas na kalidad na LTOI wafer, na idinisenyo para sa mga advanced na aplikasyon sa mga filter ng RF, optical na aparato, at mga teknolohiya ng MEMS. Nagtatampok ang aming mga wafer ng isang layer ng lithium tantalate (LT) na may saklaw ng kapal na 0.3-50 µm, tinitiyak ang pambihirang pagganap ng piezoelectric at katatagan ng thermal.

Magagamit sa 6-pulgada at 8-pulgada na laki, ang mga wafer na ito ay sumusuporta sa iba't ibang mga orientation ng kristal, kabilang ang X, Z, at Y-42 na pagbawas, na nagbibigay ng kakayahang umangkop para sa iba't ibang mga kinakailangan sa aparato. Ang insulating substrate ay maaaring ipasadya sa Si, sic, sapiro,

 Spinel, o Quartz, pag -optimize ng pagganap para sa mga tiyak na aplikasyon.

Ang Lithium Tantalate (LT, LITAO3) Ang kristal ay isang mahalagang multifunctional crystal material na may mahusay na piezoelectric, ferroelectric, acousto-optic at electro-optic effects. Ang mga acoustic-grade LT crystals na nakakatugon sa mga aplikasyon ng piezoelectric ay maaaring magamit upang maghanda ng high-frequency broadband acoustic resonator, transducers, pagkaantala ng mga linya, mga filter at iba pang mga aparato, na ginagamit sa mga mobile na komunikasyon, satellite communication, digital signal processing, telebisyon, broadcasting, radar, remote sensing at telemetry at iba pang mga sibilyang larangan, pati na rin sa mga elektronikong countermealses, fuses, guidance, guidance, guid at iba pang larangan ng militar.

Ang mga tradisyunal na ibabaw ng acoustic wave (SAW) na aparato ay inihanda sa mga solong bloke ng kristal, at ang mga aparato ay malaki at hindi katugma sa mga proseso ng CMOS. Ang paggamit ng mataas na pagganap na piezoelectric solong kristal na manipis na pelikula ay isang mahusay na pagpipilian upang mapagbuti ang pagsasama ng mga aparato ng SAW at bawasan ang mga gastos. Ang mga aparato na batay sa piezoelectric solong kristal na manipis na pelikula ay hindi lamang maaaring mapabuti ang kakayahan ng pagsasama ng mga aparato ng SAW sa pamamagitan ng paggamit ng mga materyales na semiconductor bilang mga substrate, ngunit pinapabuti din ang bilis ng paghahatid ng mga tunog ng tunog sa pamamagitan ng pagpili ng high-speed silikon, sapphire o diamante na mga substrate. Ang mga substrate na ito ay maaaring sugpuin ang pagkawala ng mga alon sa paghahatid sa pamamagitan ng paggabay ng enerhiya sa loob ng layer ng piezoelectric. Samakatuwid, ang pagpili ng tamang piezoelectric na solong kristal na pelikula at proseso ng paghahanda ay ang pangunahing kadahilanan upang makakuha ng mataas na pagganap, murang halaga, at lubos na isinama na mga aparato.

Upang matugunan ang mga kagyat na pangangailangan ng susunod na henerasyon ng piezoelectric acoustic na aparato para sa pagsasama, miniaturization, mataas na dalas, at malaking bandwidth sa ilalim ng pag-unlad ng takbo ng pagsasama at miniaturization ng RF front-end, ang matalinong teknolohiya ng pagputol ay maaaring magamit upang maghanda ng solong kristal na lt film sa insulator (lto wafer), kung saan ang isang crystal lt film sa insulator (ltoi wafer), kung saan ang isang crystal lt film sa insulator (ltoi wafer). Bagong solusyon at solusyon para sa pagbuo ng mas mataas na pagganap at mas mababang mga aparato sa pagproseso ng signal ng RF. Ang LTOI ay isang rebolusyonaryong teknolohiya. Ang mga aparato ng Saw na batay sa LTOI wafer ay may mga pakinabang ng maliit na sukat, malaking bandwidth, mataas na dalas ng operating, at pagsasama ng IC, at may malawak na mga prospect ng aplikasyon sa merkado.

Ang teknolohiya ng Crystal Ion Implantation Stripping (CIS) ay maaaring maghanda ng de-kalidad na solong kristal na manipis na mga materyales sa pelikula na may kapal ng submicron, at may mga pakinabang ng proseso ng pagkontrol sa paghahanda, nababagay na mga parameter ng proseso tulad ng enerhiya ng pagtatanim ng ion, dosis ng pagtatanim, at temperatura ng pagsusubo. Habang tumatanda ang teknolohiya ng CIS, ang teknolohiya ng matalinong gupit batay sa teknolohiya ng CIS at teknolohiya ng bonding ng wafer ay hindi lamang mapapabuti ang ani ng mga materyales sa substrate, ngunit mas mabawasan din ang mga gastos sa pamamagitan ng maraming paggamit ng mga materyales. Ang Figure 1 ay isang diagram ng eskematiko ng pagtatanim ng ion at wafer bonding at pagbabalat. Ang teknolohiyang Smart-cut ay unang binuo ng Soitec sa Pransya at inilapat sa paghahanda ng de-kalidad na silikon-on-insulator (SOI) wafers [18]. Ang teknolohiyang Smart-cut ay hindi lamang makagawa ng mataas na kalidad at murang mga wafer ng SOI, ngunit kinokontrol din ang kapal ng SI sa insulating layer sa pamamagitan ng pagbabago ng enerhiya ng pagtatanim ng ion. Samakatuwid, ito ay may malakas na kalamangan sa paghahanda ng mga materyales sa SOI. Bilang karagdagan, ang teknolohiyang smart-cut ay mayroon ding kakayahang ilipat ang iba't ibang mga solong kristal na pelikula sa iba't ibang mga substrate. Maaari itong magamit upang maghanda ng multilayer manipis na mga materyales sa pelikula na may mga espesyal na pag-andar at aplikasyon, tulad ng pagtatayo ng mga pelikulang LT sa mga substrate ng SI at naghahanda ng de-kalidad na piezoelectric manipis na mga materyales sa pelikula sa silikon (SI). Samakatuwid, ang teknolohiyang ito ay naging isang epektibong paraan upang maghanda ng de-kalidad na lithium tantalate solong mga pelikulang kristal.