Silicon Sa Insulator Wafer

Ang istraktura ng isang Silicon On Insulator wafer ay binubuo ng tatlong pangunahing layer. Ang tuktok na layer ay isang manipis na pelikula ng single-crystal na silicon, karaniwang mula sa ilang nanometer hanggang sa ilang micrometer ang kapal. Ang manipis na layer ng silikon na ito ay nagsisilbing aktibong rehiyon kung saan itinatayo ang mga transistor at iba pang mga elektronikong sangkap.

Sa ilalim ng manipis na layer ng silikon ay isang layer ng insulating material. Ang insulating layer na ito ay nagsisilbing hadlang, na pumipigil sa daloy ng mga singil sa kuryente sa pagitan ng manipis na layer ng silikon at ng substrate layer.

Ang ilalim na layer ay ang substrate, na isang mas makapal na layer ng single-crystal silicon. Nagbibigay ito ng mekanikal na suporta sa wafer at nagsisilbi rin bilang heat sink para sa pag-alis ng nabuong init.

Ang proseso ng pagmamanupaktura ng Silicon On Insulator wafer ay nagsasangkot ng iba't ibang mga diskarte, kabilang ang wafer bonding at mga paraan ng paglipat ng layer. Ang mga diskarteng ito ay nagbibigay-daan sa paglikha ng isang mataas na kalidad na manipis na layer ng silikon sa ibabaw ng insulating layer.

Lalong naging mahalaga ang Silicon On Insulator wafer sa industriya ng semiconductor, partikular sa paggawa ng mga microprocessor, memory device, RF circuit, at high-speed na sistema ng komunikasyon. Ang kanilang natatanging istraktura at mga pakinabang ay ginagawa silang isang ginustong pagpipilian para sa mga advanced na electronic application, na nag-aambag sa mas mabilis at mas mahusay na mga aparato sa iba't ibang larangan.