MOCVD Heater

Ang heater na ito ay ginawa gamit ang high-purity graphite, na may mga antas ng impurity na maingat na kinokontrol sa mas mababa sa 5 parts per million (ppm). Ang grapayt ay pinahiran pagkatapos ng chemical vapor deposition (CVD) silicon carbide (SiC), na ipinagmamalaki ang antas ng kadalisayan na higit sa 99.99995%. Ang kumbinasyong ito ng mga materyales ay nagbibigay sa heater ng isang natatanging hanay ng mga katangian na kailangang-kailangan para sa pagkamit ng pinakamainam na pagganap sa mga proseso ng metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD).

Isa sa mga pinaka-kahanga-hangang tampok ng Semicorex MOCVD Heater ay ang pambihirang kadalisayan ng kemikal. Ang high-purity graphite core ay makabuluhang pinaliit ang pagpasok ng mga contaminant sa panahon ng mga prosesong may mataas na temperatura, na tinitiyak ang deposition ng mga ultra-clean thin films. Ang CVD SiC coating ay higit pang pinahuhusay ang kadalisayan na ito, na nagbibigay ng isang matatag na hadlang laban sa mga pakikipag-ugnayan ng kemikal na maaaring makompromiso ang integridad ng mga nadeposito na layer. Ang mataas na antas ng kadalisayan ng kemikal na ito ay mahalaga para sa paggawa ng mga aparatong semiconductor na may mahusay na pagganap at pagiging maaasahan.

Bukod dito, ang heater ay lubos na matatag at thermally efficient, na may kakayahang makayanan ang matinding thermal condition na tipikal ng mga proseso ng MOCVD. Ang mga likas na katangian ng SiC, tulad ng mataas na punto ng pagkatunaw nito at thermal conductivity, ay nakakatulong sa kakayahan ng heater na mahusay na pamahalaan at ipamahagi ang init. Tinitiyak ng thermal efficiency na ito ang pare-parehong pag-init sa buong substrate, na mahalaga para sa pagkamit ng homogenous na film deposition at pagliit ng mga thermal gradient na maaaring humantong sa mga depekto.

Ang electrical conductivity ay isa pang lugar kung saan nangunguna ang Semicorex MOCVD Heater. Ang high-purity graphite core ay nagbibigay ng mahusay na electrical conductivity, na nagbibigay-daan sa heater na pangasiwaan ang mataas na electrical load nang madali. Ang kakayahang ito ay partikular na mahalaga sa mga proseso ng MOCVD na nangangailangan ng tumpak na kontrol sa temperatura at mga rate ng deposition. Tinitiyak ng kakayahan ng heater na mapanatili ang stable na electrical performance sa ilalim ng mataas na load na pare-pareho at reproducible na mga kondisyon ng proseso, na mahalaga para sa high-yield na paggawa ng semiconductor.

Ang patag na ibabaw ng heater ay maingat na idinisenyo upang magbigay ng mas mataas na emissivity patungo sa substrate, na nagpapahusay sa kahusayan ng radiative heat transfer. Tinitiyak ng tampok na disenyo na ito na ang substrate ay tumatanggap ng pare-parehong pag-init, na mahalaga para sa pagkamit ng mga de-kalidad na manipis na pelikula na may pare-parehong kapal at katangian. Ang mataas na emissivity surface ay nag-aambag din sa pangkalahatang thermal efficiency ng heater, na binabawasan ang pagkonsumo ng enerhiya at mga gastos sa pagpapatakbo.

Sa mga tuntunin ng tibay, ang Semicorex MOCVD Heater ay nag-aalok ng pambihirang paglaban sa kaagnasan, inoxidizability, at mataas na mekanikal na lakas. Ang CVD SiC coating ay nagbibigay ng matatag na protective layer na lumalaban sa mga corrosive na gas at kemikal na karaniwang nakikita sa mga proseso ng MOCVD. Ang resistensya ng kaagnasan na ito ay nagpapalawak sa buhay ng pagpapatakbo ng pampainit, na binabawasan ang mga gastos sa pagpapanatili at pagpapalit. Ang inoxidizability ng heater ay nagsisiguro na ito ay nananatiling matatag at hindi bumababa kahit na sa mataas na temperatura, na pinapanatili ang pagganap at integridad ng istruktura nito sa mahabang panahon ng pagpapatakbo.

Sa wakas, tinitiyak ng mataas na lakas ng makina ng heater na makayanan nito ang mga pisikal na stress na nauugnay sa thermal cycling at paghawak ng substrate. Ang katatagan na ito ay nagpapaliit sa panganib ng mekanikal na pagkabigo, na tinitiyak ang maaasahan at tuluy-tuloy na operasyon.