Sic heating filament

. Ang espesyal na filament ay gumagamit ng thermal conductivity ng grapayt at ang tibay at proteksyon ng SIC, na nagreresulta sa isang matatag at mahusay na pampainit ng enerhiya sa paglipas ng panahon. Ang SIC heating filament ay idinisenyo upang mag-init ng mga wafer nang pantay at maabot ang pagtutukoy, ginagawa itong isang mahusay na sangkap para sa pagproseso ng high-temperatura na semiconductor, tulad ng epitaxy, pagsasabog, at pagsusubo.Graphite Coreat mataas na kadalisayanSilicon Carbide Coating. Ang espesyal na filament ay gumagamit ng thermal conductivity ng grapayt at ang tibay at proteksyon ng SIC, na nagreresulta sa isang matatag at mahusay na pampainit ng enerhiya sa paglipas ng panahon. Ang SIC heating filament ay idinisenyo upang mag-init ng mga wafer nang pantay at maabot ang pagtutukoy, ginagawa itong isang mahusay na sangkap para sa pagproseso ng high-temperatura na semiconductor, tulad ng epitaxy, pagsasabog, at pagsusubo.

Ang SIC heating filament ay ginawa gamit ang high-purity grapayt dahil sa mga thermal properties ng grapayt at kalidad ng mga de-koryenteng katangian. Nagbibigay ang Graphite ng pangunahing pag -andar ng pag -init na nagpapagana ng mabilis na pagtugon at mahusay na pag -init sa ilalim ng pag -load ng elektrikal. Ang siksik na mataas na kadalisayan na patong ng sic ay pinoprotektahan ang filament mula sa mga posibleng mapagkukunan ng kontaminasyon. Pinoprotektahan ng patong ng SIC ang wafer mula sa kontaminasyon ng kemikal, at oksihenasyon, pati na rin ang mga partikulo sa silid, ay nagpapalawak ng kapaki -pakinabang na buhay ng filament, at lumilikha ng isang malinis na kapaligiran sa silid.

Ang isang pangunahing kalidad ng SIC heating filament ay ang kakayahang maghatid ng pantay na pag -init ng wafer. Ang mga pagkakaiba -iba ng temperatura sa buong wafer ay maaaring humantong sa mga depekto o nawala na ani. Ang SIC heating filament ay may mahusay na thermal conductivity at ang solidong disenyo ng filament ay nagsisiguro na ang init ay magiging matatag at mas pantay, na nililimitahan ang mga thermal gradients para sa ganap na kontrol sa proseso.

Ang sic heating filament ay napapasadya, ang halaga ng paglaban ng elektrikal ng bawat filament ay maaaring ipasadya para sa tool ng proseso at kapaligiran ng operating. Pinapayagan ng pagpapasadya na ito ang teknolohiya ng silikon na karbida upang makontrol ang halaga ng paglaban ng geometry ng filament, kapal ng patong, at mga materyal na katangian. Ang isang sic heating filament ay maaaring magkasya sa maraming iba't ibang mga disenyo ng hurno na may maraming iba't ibang mga sukat ng wafer at mga proseso ng mga recipe. Lalo na ito ay kanais -nais para sa mga tagagawa ng semiconductor, dahil pinapayagan nito ang kasalukuyang mga proseso na tumakbo nang mas mahusay at mapanatili ang pagiging tugma sa mga system na nasa lugar na.  Ang pangatlong tampok ng pagganap ay tibay. Sa mga proseso ng mataas na temperatura semiconductor, ang elemento ng pag -init ay nakalantad sa napaka -agresibong mga kemikal na kapaligiran at paulit -ulit na thermal cycling.

Ang mga aplikasyon ng semicorex sic heating filament ay sumasakop sa isang malawak na hanay ng mga proseso ng katha ng semiconductor aparato. Sa panahon ng pag -unlad ng epitaxial, halimbawa, ang elemento ng pag -init ay nagbibigay ng isang matatag at pantay na temperatura ng substrate para sa pagdeposito ng mataas na kalidad na mga pelikulang mala -kristal.