GaN vs SiC

Mayroong ilang mga materyales na kasalukuyang sinisiyasat, kung saansilikon karbidnamumukod-tangi bilang isa sa mga pinaka-promising. Kapareho ngGaN, ipinagmamalaki nito ang mas mataas na operating voltages, mas mataas na breakdown voltages, at superior conductivity kumpara sa silicon. Bukod dito, salamat sa mataas na thermal conductivity nito,silikon karbidmaaaring magamit sa mga kapaligiran na may matinding temperatura. Panghuli, ito ay makabuluhang mas maliit sa laki ngunit may kakayahang pangasiwaan ang mas malaking kapangyarihan.

BagamanSiCay isang angkop na materyal para sa mga power amplifier, hindi ito angkop para sa mga high-frequency na aplikasyon. Sa kabilang kamay,GaNay ang ginustong materyal para sa pagbuo ng maliliit na power amplifier. Gayunpaman, ang mga inhinyero ay nahaharap sa isang hamon kapag pinagsamaGaNna may P-type na silicon MOS transistors, dahil nililimitahan nito ang dalas at kahusayan ngGaN. Bagama't nag-aalok ang kumbinasyong ito ng mga pantulong na kakayahan, hindi ito perpektong solusyon sa problema.

Habang umuunlad ang teknolohiya, ang mga mananaliksik ay maaaring makakita ng mga P-type na GaN device o mga pantulong na device gamit ang iba't ibang teknolohiya na maaaring isama saGaN. Hanggang sa araw na iyon, gayunpaman,GaNay patuloy na malilimitahan ng teknolohiya sa ating panahon.

Ang pagsulong ngGaNang teknolohiya ay nangangailangan ng pagtutulungang pagsisikap sa pagitan ng mga materyales sa agham, electrical engineering, at pisika. Ang interdisciplinary approach na ito ay kailangan para malampasan ang mga kasalukuyang limitasyon ngGaNteknolohiya. Kung makakagawa tayo ng mga pambihirang tagumpay sa pagbuo ng P-type na GaN o makakahanap ng angkop na mga pantulong na materyales, hindi lamang nito mapapahusay ang pagganap ng mga device na nakabatay sa GaN ngunit makatutulong din ito sa mas malawak na larangan ng teknolohiyang semiconductor. Ito ay maaaring magbigay daan para sa mas mahusay, compact, at maaasahang electronic system sa hinaharap.