Ang Silicon carbide (SiC) power device ay mga semiconductor device na gawa sa mga silicon carbide na materyales, na pangunahing ginagamit sa high-frequency, high-temperatura, high-voltage at high-power na electronic application. Kung ikukumpara sa tradisyunal na silicon (Si)-based na power device, a......
Magbasa paAng kasaysayan ng silicon carbide (SiC) ay nagsimula noong 1891, nang aksidenteng natuklasan ito ni Edward Goodrich Acheson habang sinusubukang i-synthesize ang mga artipisyal na diamante. Pinainit ni Acheson ang pinaghalong clay (aluminosilicate) at powdered coke (carbon) sa isang electric furnace.......
Magbasa paBilang isang third-generation semiconductor material, ang Gallium Nitride ay kadalasang inihahambing sa Silicon Carbide. Ang Gallium Nitride ay nagpapakita pa rin ng kahusayan nito sa malaking bandgap, mataas na breakdown voltage, mataas na thermal conductivity, mataas na saturated electron drift ve......
Magbasa paAng mga materyales ng GaN ay nakakuha ng katanyagan kasunod ng paggawad ng 2014 Nobel Prize sa Physics para sa mga asul na LED. Sa paunang pagpasok sa mata ng publiko sa pamamagitan ng mga application na mabilis na nagcha-charge sa consumer electronics, ang mga power amplifier at RF na nakabatay sa ......
Magbasa paSa larangan ng teknolohiyang semiconductor at microelectronics, ang mga konsepto ng mga substrate at epitaxy ay may malaking kahalagahan. Gumaganap sila ng mga kritikal na tungkulin sa proseso ng pagmamanupaktura ng mga aparatong semiconductor. Susuriin ng artikulong ito ang mga pagkakaiba sa pagita......
Magbasa pa