> Balita > Balita sa Industriya

Balita sa Industriya

SiC Cutting

Ang Silicon carbide (SiC) ay lubos na pinapaboran sa industriya ng semiconductor para sa mahusay na pisikal at kemikal na mga katangian nito. Gayunpaman, ang mataas na tigas at brittleness ng SiC ay nagdudulot ng malaking hamon sa pagproseso nito.

Magbasa pa

Silicon Carbide Substrate Core Process Flow

Silicon carbide substrate ay isang compound semiconductor solong kristal na materyal na binubuo ng dalawang elemento, carbon at silikon. Mayroon itong mga katangian ng malaking bandgap, mataas na thermal conductivity, mataas na critical breakdown field strength, at mataas na electron saturation drif......

Magbasa pa

Ang Kritikal na Papel ng SiC Substrates at Crystal Growth sa Semiconductor Industry

Sa loob ng chain ng industriya ng silicon carbide (SiC), ang mga supplier ng substrate ay may malaking leverage, pangunahin dahil sa pamamahagi ng halaga. Ang mga substrate ng SiC ay nagkakahalaga ng 47% ng kabuuang halaga, na sinusundan ng mga epitaxial layer sa 23%, habang ang disenyo at pagmamanu......

Magbasa pa

Paglalapat ng SiC at GaN sa mga de-kuryenteng sasakyan

Ang mga SiC MOSFET ay mga transistor na nag-aalok ng mataas na density ng kuryente, pinahusay na kahusayan, at mababang rate ng pagkabigo sa mataas na temperatura. Ang mga bentahe na ito ng mga SiC MOSFET ay nagdudulot ng maraming benepisyo sa mga de-kuryenteng sasakyan (EV), kabilang ang mas mahaba......

Magbasa pa

4th Generation Semiconductors Gallium Oxide/β-Ga2O3

Ang unang henerasyon ng mga materyales ng semiconductor ay pangunahing kinakatawan ng silikon (Si) at germanium (Ge), na nagsimulang tumaas noong 1950s. Ang Germanium ay nangingibabaw sa mga unang araw at pangunahing ginagamit sa mga low-voltage, low-frequency, medium-power transistors at photodetec......

Magbasa pa

Walang Depekto na Epitaxial Growth at Misfit Dislocations

Nangyayari ang walang depektong paglaki ng epitaxial kapag ang isang kristal na sala-sala ay may halos magkaparehong lattice na pare-pareho sa isa pa. Nangyayari ang paglago kapag ang mga lattice site ng dalawang lattice sa rehiyon ng interface ay tinatayang tumugma, na posible sa isang maliit na la......

Magbasa pa

<...14 15 16 17 18...31 >