> Balita

Balita

Mga Proseso ng Plasma sa Mga Operasyon ng CVD

Ang Chemical Vapor Deposition (CVD) ay tumutukoy sa isang teknolohiya ng proseso kung saan ang maramihang mga gas na reactant sa iba't ibang partial pressure ay sumasailalim sa isang kemikal na reaksyon sa ilalim ng mga partikular na kondisyon ng temperatura at presyon. Ang nagreresultang solid subs......

Magbasa pa

Ang Surge at Outlook ng Silicon Carbide (SiC) Power Device Market

Habang unti-unting tumataas ang pandaigdigang pagtanggap ng mga de-koryenteng sasakyan, makakatagpo ang Silicon Carbide (SiC) ng mga bagong pagkakataon sa paglago sa darating na dekada. Inaasahang mas aktibong lalahok ang mga tagagawa ng power semiconductors at operator sa industriya ng automotive s......

Magbasa pa

Mga Silicon Epitaxial Layers at Substrate sa Semiconductor Manufacturing

Sa modernong electronics, optoelectronics, microelectronics, at information technology fields, semiconductor substrates at epitaxial technologies ay kailangang-kailangan. Nagbibigay ang mga ito ng matibay na pundasyon para sa paggawa ng mga high-performance, high-reliability na mga semiconductor na ......

Magbasa pa

Mga kalamangan ng SiC sa industriya ng EV

Bilang isang wide-bandgap (WBG) semiconductor material, ang mas malawak na pagkakaiba ng enerhiya ng SiC ay nagbibigay dito ng mas mataas na thermal at electronic na katangian kumpara sa tradisyonal na Si. Ang tampok na ito ay nagbibigay-daan sa mga power device na gumana sa mas mataas na temperatur......

Magbasa pa

Doping Control sa Sublimation SiC Growth

Ang Silicon carbide (SiC) ay gumaganap ng isang mahalagang papel sa paggawa ng mga power electronics at mga high-frequency na aparato dahil sa mahusay na mga katangian ng elektrikal at thermal. Ang kalidad at antas ng doping ng mga kristal ng SiC ay direktang nakakaapekto sa pagganap ng aparato, kay......

Magbasa pa

Ang kahalagahan ng mga porous graphite na materyales sa paglaki ng kristal ng SiC

Ang bahagi ng SiC crystal growth furnace ng Semicorex, ang porous graphite barrel, ay magdadala ng tatlong pangunahing benepisyo at maaaring epektibong palakasin ang competitiveness ng domestic SiC substrates:

Magbasa pa

<...15 16 17 18 19...30 >