SiC-coated Graphite MOCVD Susceptors

SiC-coated graphite MOCVD susceptorsay ang mga mahahalagang sangkap na ginagamit sa Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) na kagamitan, na responsable sa paghawak at pag-init ng mga substrate ng wafer. Sa kanilang superior thermal management, chemical resistance, at dimensional stability, ang SiC-coated graphite MOCVD susceptors ay itinuturing na pinakamainam na opsyon para sa mataas na kalidad na wafer substrate epitaxy.

Sa paggawa ng ostiya, angMOCVDteknolohiya ay ginagamit upang bumuo ng mga epitaxial layer sa ibabaw ng wafer substrates, paghahanda para sa katha ng mga advanced na semiconductor device. Dahil ang paglaki ng mga layer ng epitaxial ay apektado ng maraming mga kadahilanan, ang mga substrate ng wafer ay hindi maaaring direktang ilagay sa kagamitan ng MOCVD para sa deposition. SiC-coated graphite MOCVD susceptors ay kinakailangan upang hawakan at init ang mga substrate ng wafer, na lumilikha ng matatag na mga kondisyon ng thermal para sa paglaki ng mga epitaxial layer. Samakatuwid, ang pagganap ng SiC-coated graphite MOCVD susceptors ay direktang tinutukoy ang pagkakapareho at kadalisayan ng mga manipis na materyales sa pelikula, na nakakaapekto naman sa paggawa ng mga advanced na semiconductor device.

Pinipili ng Semicorex anggrapayt na may mataas na kadalisayanbilang materyal ng matrix para sa mga susceptor nitong SiC-coated na graphite na MOCVD at pagkatapos ay pantay na pinahiran ang graphite matrix ngsilikon karbidpatong sa pamamagitan ng teknolohiyang CVD. Kung ikukumpara sa nakasanayang teknolohiya, ang teknolohiyang CVD ay makabuluhang nagpapabuti sa lakas ng pagbubuklod sa pagitan ng silicon carbide coating at ng graphite matrix, na nagreresulta sa isang mas siksik na patong na may mas malakas na pagdirikit. Kahit na sa ilalim ng hinihingi na mataas na temperatura na kinakaing unti-unti, pinapanatili ng silicon carbide coating ang integridad ng istruktura at katatagan ng kemikal sa loob ng mahabang panahon, na epektibong pumipigil sa direktang kontak sa pagitan ng mga corrosive na gas at ng graphite matrix. Mabisa nitong iniiwasan ang kaagnasan ng graphite matrix at pinipigilan ang mga particle ng graphite na matanggal at makontamina ang mga substrate ng wafer at mga layer ng epitaxial, na tinitiyak ang kalinisan at ani ng paggawa ng semiconductor device.

Ang Mga Bentahe ng  Semicorex's SiC-coated graphite MOCVD susceptors

1. Napakahusay na paglaban sa kaagnasan

2. Mataas na thermal conductivity

3. Superior thermal katatagan

4. Mababang koepisyent ng thermal expansion

5. Pambihirang thermal shock resistance

6. Mataas na kinis sa ibabaw

7. Pagtitiis ng buhay ng serbisyo