Sic coated plate

Ang semicorex sic coated plate ay isang engineered na mataas na pagganap na sangkap na partikular na idinisenyo para sa mga kagamitan sa paglago ng epitaxial (EPI), na nangangailangan ng matatag, mataas na kadalisayan na mga substrate upang lumikha ng mga de-kalidad na pelikula. Ito ay isang mataas na lakas na grapayt core, pantay-pantay at makapal na pinahiran ng silikon na karbida (SIC), na nakamit ang walang kaparis na thermal at mechanical resistivity ng high-lakas na grapayt na sinamahan ng katatagan ng kemikal at tibay ng ibabaw ng SIC. Ang semicorex sic coated plate ay binuo upang mapanatili ang matinding rigors ng mga proseso ng epitaxial para sa tambalang semiconductors kabilang ang SIC at GaN.

Ang grapayt core ng SIC coated plate ay nagtataglay ng natitirang thermal conductivity, mababang density, at superyor na paglaban sa thermal shock. Ang katamtamang mababang thermal mass ng graphite core na balanse na may mahusay na thermal conductivity ay nagbibigay -daan para sa isang mabilis na pamamahagi ng init nang pantay -pantay sa isang proseso kung saan naganap ang mga siklo ng temperatura sa mataas na bilis. Ang panlabas na layer ng SIC na idineposito ng Chemical Vapor Deposition (CVD), ay nag -aalok ng isang proteksiyon na hadlang na nagdaragdag ng katigasan, paglaban ng kaagnasan, at pagkawalang -kilos ng kemikal, na nag -aalok ng agarang halaga sa paglilimita o pag -iwas sa henerasyon ng butil. Ang solidong elemental na ibabaw na ito na sinamahan ng mga pisikal na katangian ng base ng grapayt, tiyakin ang isang napakataas na proseso ng kadalisayan na proseso na may napakaliit o walang panganib ng henerasyon ng depekto sa mga epitaxial layer.

Ang dimensional na katumpakan at flat ng ibabaw ay mahahalagang katangian din ng sic coated plate. Ang bawat plato ay makina at pinahiran ng masikip na pagpapaubaya upang matiyak ang pagkakapareho at pag -uulit sa pagganap ng proseso. Ang makinis at hindi gumagalaw na ibabaw ay binabawasan ang mga site ng nucleation para sa hindi ginustong pag -aalis ng pelikula at nagpapabuti sa pagkakapareho ng wafer sa buong plate na ibabaw.

Sa mga epitaxial reaktor, ang SIC coated plate ay karaniwang ipinatupad bilang isang susceptor, liner, o isang thermal kalasag upang magbigay ng istraktura at gumanap bilang isang medium transfer medium sa wafer na naproseso. Ang matatag na pagganap ay direktang makakaapekto sa kalidad ng kristal, ani, at pagiging produktibo.