SiC Coated Ring

Ang Semicorex SiC Coated Ring, kasama ang mga advanced na katangian ng materyal at engineering nito, ay gumaganap ng mahalagang papel sa proseso ng semiconductor epitaxial.

Kilala ang Silicon Carbide (SiC) sa mahusay nitong thermal conductivity, na tumutulong sa pagpapanatili ng pare-parehong pamamahagi ng temperatura sa buong wafer. Ang pagkakaparehong ito ay kritikal para sa pagkamit ng mataas na kalidad na mga layer ng epitaxial na may kaunting mga depekto. Ang SiC Coated Ring ay maaaring makatiis sa matinding temperatura na kinakailangan sa panahon ng proseso ng epitaxial deposition. Tinitiyak ng katatagan nito sa mataas na temperatura ang mahabang buhay at pare-parehong pagganap, na binabawasan ang panganib ng kontaminasyon at pagkabigo ng kagamitan.

Ang mekanikal na katatagan ng SiC ay nagbibigay-daan sa SiC coated ring na suportahan ang wafer nang ligtas sa panahon ng proseso ng epitaxial. Tinitiyak ng mataas na tigas at tibay nito na matitiis nito ang mga pisikal na stress at thermal cycling nang walang deformation o wear. Ang kumbinasyon ng mataas na thermal stability, chemical inertness, at mekanikal na lakas ay makabuluhang nagpapahaba ng habang-buhay ng SiC Coated Ring. Ang mahabang buhay na ito ay isinasalin sa mas mababang mga gastos sa pagpapanatili at hindi gaanong madalas na pagpapalit, na nagpapahusay sa pangkalahatang kahusayan ng proseso.

Ang Semicorex SiC Coated Ring ay isang mahalagang bahagi sa proseso ng semiconductor epitaxial, na nagbibigay ng kinakailangang katatagan, tibay, at pagganap upang matugunan ang mahigpit na pangangailangan ng modernong paggawa ng semiconductor. Tinitiyak ng mga advanced na katangian nito ang paggawa ng mataas na kalidad na mga wafer, na nag-aambag sa pangkalahatang kahusayan at pagiging epektibo ng proseso ng paglago ng epitaxial.