Bahay > Mga produkto > Pinahiran ng Silicon Carbide > ICP Etching Carrier > Silicon Carbide ICP Etching Carrier
Silicon Carbide ICP Etching Carrier

Silicon Carbide ICP Etching Carrier

Naghahanap ng maaasahang wafer carrier para sa mga proseso ng pag-ukit? Huwag nang tumingin pa sa Silicon Carbide ICP Etching Carrier ng Semicorex. Ang aming produkto ay ininhinyero upang makatiis sa mataas na temperatura at malupit na paglilinis ng kemikal, na tinitiyak ang tibay at mahabang buhay. Sa malinis at makinis na ibabaw, ang aming carrier ay perpekto para sa paghawak ng malinis na mga wafer.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Tiyakin ang pinakamainam na pattern ng daloy ng laminar gas at pagiging pantay ng thermal profile gamit ang Silicon Carbide ICP Etching Carrier ng Semicorex. Ang aming produkto ay idinisenyo upang makamit ang pinakamahusay na posibleng mga resulta para sa thin film deposition at wafer handling na proseso. Sa napakahusay na init at paglaban sa kaagnasan, ang aming carrier ay ang perpektong pagpipilian para sa hinihingi na mga aplikasyon.

Sa Semicorex, nakatuon kami sa pagbibigay ng mataas na kalidad, matipid na mga produkto sa aming mga customer. Ang aming Silicon Carbide ICP Etching Carrier ay may kalamangan sa presyo at ini-export sa maraming European at American market. Nilalayon naming maging iyong pangmatagalang kasosyo, na naghahatid ng pare-parehong kalidad ng mga produkto at pambihirang serbisyo sa customer.

Makipag-ugnayan sa amin ngayon para matuto pa tungkol sa aming Silicon Carbide ICP Etching Carrier.


Mga Parameter ng Silicon Carbide ICP Etching Carrier

Pangunahing Detalye ng CVD-SIC Coating

Mga Katangian ng SiC-CVD

Istraktura ng Kristal

FCC β phase

Densidad

g/cm ³

3.21

Katigasan

Vickers tigas

2500

Sukat ng Butil

μm

2~10

Kalinisan ng Kemikal

%

99.99995

Kapasidad ng init

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura ng Sublimation

2700

Lakas ng Felexural

MPa (RT 4-point)

415

Youngâ s Modulus

Gpa (4pt bend, 1300â)

430

Thermal Expansion (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Thermal conductivity

(W/mK)

300


Mga Tampok ng Silicon Carbide ICP Etching Carrier

- Iwasan ang pagbabalat at tiyakin ang patong sa lahat ng ibabaw

Mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon: Matatag sa mataas na temperatura hanggang sa 1600°C

Mataas na kadalisayan: ginawa ng CVD chemical vapor deposition sa ilalim ng mataas na temperatura na mga kondisyon ng chlorination.

Corrosion resistance: mataas na tigas, siksik na ibabaw at pinong mga particle.

Corrosion resistance: acid, alkali, asin at organic reagents.

- Makamit ang pinakamahusay na pattern ng daloy ng laminar gas

- Garantiyang pantay ang thermal profile

- Pigilan ang anumang kontaminasyon o pagkalat ng mga impurities





Mga Hot Tags: Silicon Carbide ICP Etching Carrier, China, Mga Manufacturer, Supplier, Pabrika, Customized, Bulk, Advanced, Matibay

Kaugnay na Kategorya

Magpadala ng Inquiry

Mangyaring huwag mag-atubiling ibigay ang iyong pagtatanong sa form sa ibaba. Sasagot kami sa iyo sa loob ng 24 na oras.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept