Plato ng Tatanggap

Ang Semicorex Susceptor Plate ay isang mahalagang bahagi sa proseso ng paglago ng epitaxial, na partikular na idinisenyo upang magdala ng mga semiconductor na wafer sa panahon ng pag-deposition ng mga manipis na pelikula o mga layer. Sa konteksto ng Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), ang mga plate na ito ay partikular na ginawa mula sa mga materyales na makatiis sa mataas na temperatura at nagbibigay ng isang matatag na ibabaw para sa paglaki ng mga epitaxial layer.

Ang Susceptor Plate na ginamit sa prosesong ito ay ginawa mula sa graphite na pinahiran ng silicon carbide (SiC) sa pamamagitan ng mismong proseso ng MOCVD. Nag-aalok ang Silicon carbide ng pambihirang thermal stability, mekanikal na lakas, at paglaban sa mga reaksiyong kemikal, na ginagawa itong isang mainam na pagpipilian para sa hinihingi na mga kondisyon ng paglaki ng epitaxial.

Sa panahon ng MOCVD, ang Susceptor Plate ay gumaganap ng isang mahalagang papel sa pamamagitan ng epektibong paglilipat ng init sa mga semiconductor na wafer. Ang plato ay sumisipsip ng enerhiya mula sa nakapalibot na kapaligiran at naglalabas nito patungo sa mga wafer, na nagpapadali sa kinokontrol na pag-deposito ng mga manipis na pelikula papunta sa mga ibabaw ng wafer. Ang tumpak na kontrol sa temperatura na ito ay mahalaga para sa pagkamit ng pare-pareho at mataas na kalidad na mga epitaxial layer, na mahalaga sa paggawa ng mga advanced na semiconductor device.

Ang Susceptor Plate sa mga proseso ng MOCVD, na binubuo ng SiC-coated graphite, ay nagsisilbing isang maaasahang platform para sa pagsuporta sa mga semiconductor wafer, pagtiyak ng pinakamainam na paglipat ng init, at pag-aambag sa matagumpay na paglaki ng epitaxial ng mga manipis na pelikula na may gustong katangian para sa mga aplikasyon ng semiconductor.