Bahay > Mga produkto > Ostiya > SiC Substrate > 4" 6" 8" N-type na SiC Ingot
4

4" 6" 8" N-type na SiC Ingot

Nagbibigay ang Semicorex ng N-type na SiC ingot na may 4 na pulgada, 6 na pulgada at 8 pulgada. Kami ay tagagawa at tagatustos ng mga wafer sa loob ng maraming taon. Ang aming 4" 6" 8" N-type na SiC Ingot ay may magandang bentahe sa presyo at sumasaklaw sa karamihan ng mga European at American market. Inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto
Nagbibigay ang Semicorex ng 4" 6" 8" N-type na SiC Ingot. Naging manufacturer at supplier kami ng mga wafer sa loob ng maraming taon.

4 Inch N-type na SiC Ingot na Detalye

Mga bagay

Marka ng Produksyon

Dummy Grade

Polytype

4H

Dopant

n-type na Nitrogen

Resistivity

0.015~0.025 ohm ·cm

0.015~0.028 ohm ·cm

diameter

100.25±0.25 mm

kapal

≥15 mm

Error sa oryentasyon sa ibabaw

4°patungo sa<11-20>±0.2°

Pangunahing patag na oryentasyon

[1- 100]±5.0°

Pangunahing patag na haba

32.5±1.5 mm

Pangalawang flat

90.0°CW mula sa Pangunahing ±5.0°, nakaharap sa itaas ang silicon

Pangalawang patag na haba

18±1.5 mm

Densidad ng micropipe

≤0.5 ea/cm2

≤10 ea/cm2

BPD

≤2000 ea/cm2

--

TSD

≤500 ea/cm2

--

Mga Bitak sa Gilid

≤3 ng,≤1mm/ea

≤5 ng,≤3mm/ea

Mga lugar ng polytype

wala

≤5% na lugar

Mga indent sa gilid

≤3 ea,≤1mm ang lapad at lalim

≤5 ea,≤2mm ang lapad at lalim

Label

C-mukha

Packaging

unit-ingot cassette, vacuum packaging

6 Inch N-type na SiC Ingot na Detalye

Mga bagay

Marka ng Produksyon

Dummy Grade

Polytype

4H

Dopant

n-type na Nitrogen

Resistivity

0.015~0.025

0.015~0.028

diameter

150.25±0.25 mm

kapal

≥15 mm

Error sa oryentasyon sa ibabaw

4°patungo sa<11-20>±0.2°

Pangunahing patag na oryentasyon

[1- 100]±5.0°

Pangunahing patag na haba

47.5±1.5 mm

Densidad ng micropipe

≤0.5 ea/cm2

≤10 ea/cm2

BPD

≤2000 ea/cm2

--

TSD

≤500 ea/cm2

--

Mga Bitak sa Gilid

≤3 ng,≤1mm/ea

≤5 ng,≤3mm/ea

Mga lugar ng polytype

wala

≤5% na lugar

Mga indent sa gilid

≤3 ea,≤1mm ang lapad at lalim

≤5 ea,≤2mm ang lapad at lalim

Label

C-mukha

Packaging

unit-ingot cassette, vacuum packaging

8 Inch N-type na SiC Ingot na Detalye

Mga bagay

Marka ng Produksyon

Marka ng Pananaliksik

Dummy Grade

Polytype

4H

Dopant

n-type na Nitrogen

Resistivity

0.015~0.028

0.01~0.04

NA

diameter

200.25±0.25 mm

kapal

NA

Error sa oryentasyon sa ibabaw

4°patungo sa<11-20>±0.5°

bingaw na oryentasyon

[1- 100]±5.0°

Ang lalim ng bingaw

1~1.5 mm

Densidad ng micropipe

≤2 ea/cm2

≤10 ea/cm2

≤50 ea/cm2

BPD

≤2000 ea/cm2

≤500 ea/cm2

--

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

--

Mga Bitak sa Gilid

≤3 ng,≤1mm/ea

≤4 ng,≤2mm/ea

≤5 ng,≤3mm/ea

Mga lugar ng polytype

wala

≤20% na lugar

≤30% na lugar

Mga indent sa gilid

≤3 ea,≤1mm ang lapad at lalim

≤4 ea,≤2mm ang lapad at lalim

≤5 ea,≤2mm ang lapad at lalim

Label

C-mukha

Packaging

unit-ingot cassette, vacuum packaging




Mga Hot Tags: 4" 6" 8" N-type na SiC Ingot, China, Mga Manufacturer, Supplier, Pabrika, Customized, Maramihan, Advanced, Matibay
Kaugnay na Kategorya
Magpadala ng Inquiry
Mangyaring huwag mag-atubiling ibigay ang iyong pagtatanong sa form sa ibaba. Sasagot kami sa iyo sa loob ng 24 na oras.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept