> Mga produkto > Ostiya > SiC Substrate > 4" 6" High Purity Semi-Insulating SiC Ingot

Mga produkto

bagong produkto

4" 6" High Purity Semi-Insulating SiC Ingot

Ang Semicorex ay nagbibigay ng high purity semi-insulating SiC ingot na may 4 na pulgada at 6 na pulgada. Kami ay tagagawa at tagatustos ng mga wafer sa loob ng maraming taon. Ang aming 4" 6" High Purity Semi-Insulating SiC Ingot ay may magandang bentahe sa presyo at sumasaklaw sa karamihan ng mga European at American market. Inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Ang aming 4" 6" High Purity Semi-Insulating SiC Ingot ay may magandang bentahe sa presyo at sumasaklaw sa karamihan ng mga European at American market. Inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

4 Inch Semi-insulating SiC Ingot Detalye
Mga bagay	Marka ng Produksyon	Dummy Grade
Polytype	4H
Resistivity/ohm ·cm	NA
diameter	100.25±0.25 mm
kapal	≥15 mm
Error sa oryentasyon sa ibabaw	0±0.2°
Pangunahing patag na oryentasyon	[1- 100]±5.0°
Pangunahing patag na haba	32.5±1.5 mm
Pangalawang flat	90.0°CW mula sa Pangunahing ±5.0°, nakaharap sa itaas ang silicon
Pangalawang patag na haba	17±1.5 mm
Densidad ng micropipe	≤1 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Mga Bitak sa Gilid	≤3 ng，≤1mm/ea	≤5 ng，≤3mm/ea
Mga lugar ng polytype	wala	≤5% na lugar
Mga indent sa gilid	≤3 ea，≤1mm ang lapad at lalim	≤5 ea，≤2mm ang lapad at lalim
Label	C-mukha
Packaging	unit-ingot cassette, vacuum packaging

6 Inch Semi-insulating SiC Ingot Detalye
Mga bagay	Marka ng Produksyon	Dummy Grade
Polytype	4H
Resistivity/ohm ·cm	NA
diameter	150.25±0.25 mm
kapal	≥10 mm
Error sa oryentasyon sa ibabaw	0±0.25°
bingaw na oryentasyon	[1- 100]±5.0°
Ang lalim ng bingaw	1~1.25 mm
Densidad ng micropipe	≤1 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Mga Bitak sa Gilid	≤3 ng，≤1mm/ea	≤5 ng，≤3mm/ea
Mga lugar ng polytype	wala	≤5% na lugar
Mga indent sa gilid	≤3 ea，≤1mm ang lapad at lalim	≤5 ea，≤2mm ang lapad at lalim
Label	C-mukha
Packaging	unit-ingot cassette, vacuum packaging