CVD SiC Focus Ring

Advanced na Chemical Vapor Deposition (CVD) na Proseso

Ang proseso ng CVD na ginamit sa paggawa ng CVD SiC Focus Ring ay nagsasangkot ng tumpak na pagdeposito ng SiC sa mga partikular na hugis, na sinusundan ng mahigpit na mekanikal na pagproseso. Tinitiyak ng pamamaraang ito na ang mga parameter ng resistivity ng materyal ay pare-pareho, salamat sa isang nakapirming ratio ng materyal na tinutukoy pagkatapos ng malawak na eksperimento. Ang resulta ay isang focus ring na may walang kapantay na kadalisayan at pagkakapareho.

Superior na Paglaban sa Plasma

Ang isa sa mga pinaka-nakakahimok na katangian ng CVD SiC Focus Ring ay ang pambihirang pagtutol nito sa plasma. Dahil ang mga focus ring ay direktang nakalantad sa plasma sa loob ng vacuum reaction chamber, ang pangangailangan para sa isang materyal na may kakayahang magtiis sa gayong malupit na mga kondisyon ay higit sa lahat. Ang SiC, na may antas ng kadalisayan na 99.9995%, ay hindi lamang nagbabahagi ng electrical conductivity ng silicon ngunit nag-aalok din ng higit na paglaban sa ionic etching, na ginagawa itong perpektong pagpipilian para sa plasma etching equipment.

Mataas na Densidad at Pinababang Dami ng Pag-ukit

Kung ikukumpara sa mga silicon (Si) focus ring, ipinagmamalaki ng CVD SiC Focus Ring ang mas mataas na density, na makabuluhang binabawasan ang volume ng etching. Ang property na ito ay mahalaga sa pagpapahaba ng habang-buhay ng focus ring at pagpapanatili ng integridad ng proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor. Ang pinababang dami ng pag-ukit ay isinasalin sa mas kaunting mga pagkaantala at mas mababang mga gastos sa pagpapanatili, sa huli ay nagpapahusay sa kahusayan sa produksyon.

Malawak na Bandgap at Napakahusay na Insulation

Ang malawak na bandgap ng SiC ay nagbibigay ng mahusay na mga katangian ng pagkakabukod, na mahalaga sa pagpigil sa mga hindi gustong mga agos ng kuryente na makagambala sa proseso ng pag-ukit. Tinitiyak ng katangiang ito na ang focus ring ay nagpapanatili ng pagganap nito sa mga pinalawig na panahon, kahit na sa ilalim ng pinakamahirap na mga kondisyon.

Thermal Conductivity at Paglaban sa Thermal Shock

Ang CVD SiC Focus Rings ay nagpapakita ng mataas na thermal conductivity at isang mababang expansion coefficient, na nagbibigay sa mga ito ng lubos na lumalaban sa thermal shock. Ang mga katangiang ito ay partikular na kapaki-pakinabang sa mga application na kinasasangkutan ng mabilis na thermal processing (RTP), kung saan ang focus ring ay dapat makatiis ng matinding init na pulso na sinusundan ng mabilis na paglamig. Ang kakayahan ng CVD SiC Focus Ring na manatiling matatag sa ilalim ng gayong mga kondisyon ay ginagawa itong kailangang-kailangan sa modernong paggawa ng semiconductor.

Lakas at Katatagan ng Mekanikal

Ang mataas na elasticity at tigas ng CVD SiC Focus Ring ay nagbibigay ng mahusay na pagtutol sa mekanikal na epekto, pagkasira, at kaagnasan. Tinitiyak ng mga katangiang ito na kayang tiisin ng focus ring ang mahigpit na hinihingi ng paggawa ng semiconductor, na pinapanatili ang integridad at pagganap ng istruktura nito sa paglipas ng panahon.

Mga Application sa Iba't Ibang Industriya

1. Paggawa ng Semiconductor

Sa larangan ng pagmamanupaktura ng semiconductor, ang CVD SiC Focus Ring ay isang mahalagang bahagi ng plasma etching equipment, partikular na ang mga gumagamit ng capacitive coupled plasma (CCP) system. Ang mataas na enerhiya ng plasma na kinakailangan sa mga sistemang ito ay ginagawang napakahalaga ng paglaban at tibay ng CVD SiC Focus Ring sa plasma. Bukod pa rito, ang mahusay na mga katangian ng thermal nito ay ginagawa itong angkop para sa mga RTP application, kung saan karaniwan ang mabilis na pag-init at paglamig.

2. LED Wafer Carrier

Ang CVD SiC Focus Ring ay lubos ding epektibo sa paggawa ng mga LED wafer carrier. Ang thermal stability ng materyal at paglaban sa chemical corrosion ay nagsisiguro na ang focus ring ay makatiis sa malupit na mga kondisyon na naroroon sa panahon ng LED fabrication. Ang pagiging maaasahan na ito ay isinasalin sa mas mataas na mga ani at mas mahusay na kalidad na mga LED wafer.

3. Sputtering Target

Sa mga sputtering application, ang mataas na tigas ng CVD SiC Focus Ring at paglaban sa pagsusuot ay ginagawa itong perpektong pagpipilian para sa mga sputtering target. Tinitiyak ng kakayahan ng focus ring na mapanatili ang integridad ng istruktura nito sa ilalim ng mga epektong may mataas na enerhiya na pare-pareho at maaasahang pagganap ng sputtering, na kritikal sa paggawa ng mga manipis na pelikula at coatings.