> Balita

Balita

Silicon Wafer

Ang Silicon material ay isang solidong materyal na may ilang partikular na semiconductor electrical properties at physical stability, at nagbibigay ng substrate na suporta para sa kasunod na proseso ng pagmamanupaktura ng integrated circuit. Ito ay isang pangunahing materyal para sa mga integrated c......

Magbasa pa

SiC Boats vs. Quartz Boats: Kasalukuyang Paggamit at Mga Trend sa Hinaharap sa Semiconductor Manufacturing

Ang artikulong ito ay nagsasaliksik sa paggamit at hinaharap na trajectory ng silicon carbide (SiC) na mga bangka na may kaugnayan sa mga quartz boat sa loob ng industriya ng semiconductor, partikular na nakatuon sa kanilang mga aplikasyon sa paggawa ng solar cell.

Magbasa pa

SiC Cutting

Ang Silicon carbide (SiC) ay lubos na pinapaboran sa industriya ng semiconductor para sa mahusay na pisikal at kemikal na mga katangian nito. Gayunpaman, ang mataas na tigas at brittleness ng SiC ay nagdudulot ng malaking hamon sa pagproseso nito.

Magbasa pa

Gallium Nitride Epitaxial Wafers: Isang Panimula sa Proseso ng Fabrication

Ang Gallium Nitride (GaN) epitaxial wafer growth ay isang kumplikadong proseso, kadalasang gumagamit ng dalawang-hakbang na pamamaraan. Ang pamamaraang ito ay nagsasangkot ng ilang kritikal na yugto, kabilang ang mataas na temperatura na pagbe-bake, paglaki ng buffer layer, recrystallization, at pag......

Magbasa pa

Ano ang Pagkakaiba sa pagitan ng Epitaxial at Diffused Wafers

Ang parehong epitaxial at diffused wafers ay mahahalagang materyales sa paggawa ng semiconductor, ngunit malaki ang pagkakaiba ng mga ito sa kanilang mga proseso sa paggawa at mga target na aplikasyon. Tinutukoy ng artikulong ito ang mga pangunahing pagkakaiba sa pagitan ng mga uri ng wafer na ito.

Magbasa pa

Silicon Carbide Substrate Core Process Flow

Silicon carbide substrate ay isang compound semiconductor solong kristal na materyal na binubuo ng dalawang elemento, carbon at silikon. Mayroon itong mga katangian ng malaking bandgap, mataas na thermal conductivity, mataas na critical breakdown field strength, at mataas na electron saturation drif......

Magbasa pa

<...8 9 10 11 12...30 >