Silicon Carbide Focus Ring

Silicon carbide focus ringsay karaniwang naka-install sa reaction chamber ng etching equipment, na inilalagay sa paligid ng wafer support surface ng electrostatic chuck. Ang pag-aayos ng pag-install na ito ay maaaring matagumpay na punan ang pagkakaiba sa taas sa pagitan ng wafer edge at ng electrode, na nakatuon sa plasma sa reaction chamber papunta sa wafer surface upang makamit ang pare-parehong pag-ukit at pinipigilan din ang diffusion ng plasma palabas mula sa wafer edge upang maiwasan ang problema ng labis na pag-ukit ng wafer edge.

Ang mga de-kalidad na bahagi ng pag-ukit ay maaaring magbigay ng isang matatag na kapaligiran ng electric field para sa proseso ng pag-ukit. Ang mga silicon carbide focus ring ng Semicorex ay ginawa mula sa mataas na pagganapmga materyales ng silikon karbidasa pamamagitan ng chemical vapor deposition. Ang aming mga focus ring ay may kakayahang ayusin ang pamamahagi ng electric field sa paligid ng wafer, na makabuluhang binabawasan ang mga paglihis ng etching o discharge phenomena na dulot ng hindi pantay na mga electric field.

Ang mga semiconductor wafer ay madaling madaling kapitan ng kontaminasyon ng particulate, kaya ang mga proseso ng pag-ukit ng plasma ay dapat isagawa sa mga ultra-clean na ion etching reaction chamber. Bilang pangunahing bahagi ng kagamitan sa pag-ukit, ang mga silicon carbide focus ring ay direktang nakikipag-ugnayan sa gilid ng wafer sa aktwal na operasyon, na kinakailangan ding matugunan ang mga ultra-high na pamantayan sa kalinisan. Ang mga silicon carbide focus ring ng Semicorex ay nag-aalok ng mga pakinabang ng mataas na kadalisayan at mababang nilalaman ng karumihan, na maaaring tumpak na matugunan ang mahigpit na mga kinakailangan sa kalinisan ng mga proseso ng semiconductor etching. Ito ay lubos na nakakatulong upang mabawasan ang mga depekto ng wafer at mapabuti ang ani ng produksyon ng wafer.

Sa panahon ng proseso ng pag-ukit ng plasma, ang mga gas ng pag-ukit tulad ng fluorine at oxygen ay ipinapasok sa silid ng reaksyon. Ang chemical corrosion resistance ng etching equipment ay malubhang hinamon ng pangmatagalang kaagnasan na dulot ng mga prosesong gas. Sa kanyang superior resistance property sa plasma corrosion, ang silicon carbide ay ang pinakamainam na pagpipiliang materyal para sa paggawa ng focus ring. Sa pamamagitan ng pagpapababa sa posibilidad ng pagkasira ng bahagi na nauugnay sa kaagnasan at pagliit ng pangangailangan para sa madalas na pagpapalit at pagpapanatili, ang mga silicon carbide focus ring ay maaaring makabuluhang tumaas ang kahusayan ng paggawa ng semiconductor wafer.