MOCVD Vacuum Chamber Takip

Ang MOCVD Vacuum Chamber Lid na ginagamit sa paglaki ng kristal at pagpoproseso ng wafer ay dapat magtiis sa mataas na temperatura at malupit na paglilinis ng kemikal. Ang Semicorex Silicon Carbide Coated MOCVD Vacuum Chamber Lid ay partikular na inengineered sa mga mapaghamong kapaligirang ito. Ang aming mga produkto ay may magandang kalamangan sa presyo at sumasaklaw sa marami sa mga merkado sa Europa at Amerika. Inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Ang mga bahagi ng Semicorex Graphite ay mataas na kadalisayan na SiC coated graphite, na ginagamit sa proseso upang palaguin ang nag-iisang proseso ng kristal at wafer. Ang MOCVD Vacuum Chamber Lid Compound growth ay may mataas na init at corrosion resistance, ay matibay upang makaranas ng kumbinasyon ng mga pabagu-bagong precursor gas, plasma, at mataas na temperatura.

Sa Semicorex, nakatuon kami sa pagbibigay ng mga de-kalidad na produkto at serbisyo sa aming mga customer. Gumagamit lamang kami ng pinakamahusay na mga materyales, at ang aming mga produkto ay idinisenyo upang matugunan ang pinakamataas na pamantayan ng kalidad at pagganap. Ang aming MOCVD Vacuum Chamber Lid ay walang exception. Makipag-ugnayan sa amin ngayon para matuto pa tungkol sa kung paano ka namin matutulungan sa iyong mga pangangailangan sa pagproseso ng semiconductor wafer.

Mga Parameter ng MOCVD Vacuum Chamber Lid

Pangunahing Pagtutukoy ng CVD-SIC Coating
Mga Katangian ng SiC-CVD
Istraktura ng Kristal	FCC β phase
Densidad	g/cm ³	3.21
Katigasan	Vickers tigas	2500
Sukat ng Butil	μm	2~10
Kadalisayan ng Kemikal	%	99.99995
Kapasidad ng init	J kg-1 K-1	640
Temperatura ng Sublimation	℃	2700
Lakas ng Felexural	MPa (RT 4-point)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Thermal Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300