Wafer Process Heater

Ang Semicorex Wafer Process Heater ay ginawa ng Silicon Carbide Coating (SiC) graphite, ang coating ay inilapat sa pamamagitan ng isang CVD method sa mga partikular na grado ng high density graphite, kaya maaari itong gumana sa high temperature furnace na may higit sa 3000 °C sa isang inert na kapaligiran, 2200°C sa vacuum.
Ang mga espesyal na katangian at mababang masa ng materyal na Wafer Process Heater ay nagbibigay-daan sa mabilis na mga rate ng pag-init, pare-parehong pamamahagi ng temperatura at natitirang katumpakan sa kontrol. Sa paghahambing sa ibang materyal, ang ibabaw ng Silicon Carbide ay nananatiling patag dahil sa mababang thermal expansion nito kahit na pinatatakbo nang may mabilis na pagbabago sa temperatura. Ang mga mainit na plato ay napaka-angkop para sa hinihingi na mga proseso sa mga sistema ng pagproseso ng semiconductor.
Sa Semicorex, nakatuon kami sa pagbibigay ng mataas na kalidad, matipid na mga produkto sa aming mga customer. Ang aming Wafer Process Heater ay may kalamangan sa presyo at ini-export sa maraming European at American market. Nilalayon naming maging iyong pangmatagalang kasosyo, na naghahatid ng pare-parehong kalidad ng mga produkto at pambihirang serbisyo sa customer.

Mga Parameter ng Wafer Process Heater

Mga Tampok ng Wafer Process Heater

- CVD SiC coatings upang mapabuti ang buhay ng serbisyo.
- Mataas na temperatura paglaban, kaagnasan paglaban, mahabang buhay ng serbisyo, maaaring mapabuti ang kalidad ng ostiya at ani.
- Ito ay may napakababang koepisyent ng thermal expansion, mataas na temperatura na resistensya, mataas na wear resistance, mahusay na pagkakabukod, mahusay na kemikal na katatagan, at malapit-purple (pula) na nakikitang pagpasok ng liwanag.

Maaari kaming magbigay ng anti-oxidation at long life span graphite crucible, graphite mold at lahat ng bahagi ng graphite heater.