SiC End Effector

Ang Semicorex SiC End Effector ay ginawa ng Silicon Carbide Coating (SiC) graphite, ang coating ay inilapat sa pamamagitan ng isang CVD method sa mga partikular na grado ng high density graphite, kaya maaari itong gumana sa high temperature furnace na may higit sa 3000 °C sa isang inert na kapaligiran, 2200°C sa vacuum.

Ang aming SiC End Effector ay idinisenyo upang makamit ang pinakamahusay na pattern ng daloy ng laminar gas, na tinitiyak ang pagiging pantay ng thermal profile. Nakakatulong ito upang maiwasan ang anumang kontaminasyon o pagkalat ng mga impurities, na tinitiyak ang mataas na kalidad na paglaki ng epitaxial sa wafer chip.

Makipag-ugnayan sa amin ngayon para matuto pa tungkol sa aming SiC End Effector.

Mga Parameter ng SiC End Effector

Mga Tampok ng SiC End Effector

- Iwasan ang pagbabalat at tiyakin ang patong sa lahat ng ibabaw

Mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon: Matatag sa mataas na temperatura hanggang sa 1600°C

Mataas na kadalisayan: ginawa ng CVD chemical vapor deposition sa ilalim ng mataas na temperatura na mga kondisyon ng chlorination.

Corrosion resistance: mataas na tigas, siksik na ibabaw at pinong mga particle.

Corrosion resistance: acid, alkali, salt and organic reagents.

- Makamit ang pinakamahusay na pattern ng daloy ng laminar gas

- Garantiyang pantay ang thermal profile

- Pigilan ang anumang kontaminasyon o pagkalat ng mga impurities