RTA SiC Wafer Carrier

Ang mabilis na thermal annealing ay isang thermal processing technique na malawakang ginagamit sa paggawa ng semiconductor. Gamit ang mga halogen infrared lamp bilang pinagmumulan ng init, mabilis itong nagpapainit ng mga wafer o semiconductor na materyales sa mga temperatura sa pagitan ng 300 ℃ at 1200 ℃ na may napakabilis na rate ng pag-init, na sinusundan ng mabilis na paglamig. Ang mabilis na proseso ng thermal annealing ay maaaring alisin ang natitirang stress at mga depekto sa loob ng mga wafer at semiconductor na materyales, pagpapabuti ng kalidad at pagganap ng materyal. Ang mga carrier ng RTA SiC wafer ay ang kailangang-kailangan na bahagi ng pagdadala na malawakang ginagamit sa proseso ng RTA, na maaaring matatag na sumusuporta sa mga materyales na wafer at semiconductor habang tumatakbo at tinitiyak ang pare-parehong epekto ng thermal treatment.

Ang mga bentahe ng Semicorex RTA SiC wafer carrier

1. Superior mekanikal lakas at tigas

Ang mga Semicorex RTA SiC wafer carrier ay naghahatid ng mahusay na mekanikal na lakas at tigas at nagagawang makayanan ang iba't ibang mekanikal na stress sa ilalim ng malupit na mga kondisyon ng RTA habang nananatiling dimensional na matatag at matibay. Sa kanilang mahusay na tigas, ang ibabaw ng RTA SiC wafer carrier ay hindi gaanong madaling kapitan ng mga gasgas, na nagbibigay ng patag, makinis na ibabaw ng suporta na epektibong pumipigil sa pagkasira ng wafer na dulot ng mga gasgas ng carrier.

2. Pambihirang thermal conductivity

Ang mga wafer carrier ng Semicorex RTA SiC ay nagtataglay ng pambihirang thermal conductivity, na nagbibigay-daan sa kanila na epektibong magkalat at magsagawa ng init. Maaari silang maghatid ng tumpak na kontrol sa temperatura sa panahon ng mabilis na pagproseso ng thermal, na makabuluhang nagpapababa sa panganib ng thermal damage sa mga wafer at nagpapabuti sa pagkakapareho at pagkakapare-pareho ng proseso ng pagsusubo.

3. Natitirang thermal stability

Nagtatampok ang Silicon carbide ng melting point na humigit-kumulang 2700°C at nagpapanatili ng natitirang katatagan sa tuluy-tuloy na operating temperature na 1350–1600°C. Nagbibigay ito ng SemicorexRTA SiC wafer carriersuperior thermal stability para sa mataas na temperatura na mga kondisyon ng pagpapatakbo ng RTA. Bilang karagdagan, sa kanilang mababang koepisyent ng thermal expansion, maiiwasan ng mga Semicorex RTA SiC wafer carrier ang pag-crack o pinsala na dulot ng hindi pantay na pagpapalawak at pag-urong ng thermal sa panahon ng mabilis na pag-init at paglamig.

4. Napakahusay na pagganap sa mababang kontaminasyon

Ginawa mula sa maingat na napiling mataas na kadalisayansilikon karbid, Ang mga carrier ng Semicorex RTA SiC wafer ay nagtatampok ng mababang nilalaman ng karumihan. Dahil sa kanilang kahanga-hangang paglaban sa kemikal, ang mga Semicorex RTA SiC wafer carrier ay nakakaiwas sa pagkaagnas mula sa mga proseso ng gas sa panahon ng mabilis na thermal annealing, sa gayon ay pinapaliit ang kontaminasyon ng wafer na dulot ng mga reactant at natutugunan ang mahigpit na mga kinakailangan sa kalinisan ng mga proseso ng pagmamanupaktura ng semiconductor.