Semiconductor Wafer Boat

Nagbibigay ang Semicorex ng mga wafer boat, pedestal, at custom na wafer carrier para sa parehong vertical / column at horizontal configuration. Kami ay tagagawa at tagapagtustos ng silicon carbide coating film sa loob ng maraming taon. Ang aming Semiconductor Wafer Boat ay may magandang bentahe sa presyo at sumasaklaw sa karamihan ng mga European at American market. Inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.

Magpadala ng Inquiry

Paglalarawan ng Produkto

Ang Semicorex Semiconductor Wafer Boat ay gawa sa sintered silicon carbide ceramic, na may mahusay na pagtutol sa kaagnasan at mahusay na pagtutol sa mataas na temperatura at thermal shock. Ang mga advanced na ceramics ay naghahatid ng mahusay na thermal resistance at plasma durability habang pinapagaan ang mga particle at contaminants para sa mga wafer carrier na may mataas na kapasidad.
Sa Semicorex, nakatuon kami sa pagbibigay ng mataas na kalidad, matipid na Semiconductor Wafer Boat, inuuna namin ang kasiyahan ng customer at nagbibigay ng mga solusyon na matipid. Inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo, na naghahatid ng mga de-kalidad na produkto at pambihirang serbisyo sa customer.
Makipag-ugnayan sa amin ngayon para matuto pa tungkol sa aming Semiconductor Wafer Boat.

Mga Parameter ng Semiconductor Wafer Boat

Teknikal na Katangian
Index	Yunit	Halaga
Pangalan ng Materyal		Reaksyon na Sintered Silicon Carbide	Walang Pressure na Sintered Silicon Carbide	Recrystallized Silicon Carbide
Komposisyon		RBSiC	SSiC	R-SiC
Mabigat	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Flexural na Lakas	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Lakas ng Compressive	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Katigasan	Knoop	2700	2800	/
Pagsira sa Tenacity	MPa m1/2	4.5	4	/
Thermal Conductivity	W/m.k	95	120	23
Coefficient ng Thermal Expansion	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Tukoy na init	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Pinakamataas na temperatura sa hangin	℃	1200	1500	1600
Elastic Modulus	Gpa	360	410	240

Ang pagkakaiba sa pagitan ng SSiC at RBSiC:

1. Iba ang proseso ng sintering. Ang RBSiC ay upang makalusot ng libreng Si sa silicon carbide sa mababang temperatura, ang SSiC ay nabuo sa pamamagitan ng natural na pag-urong sa 2100 degrees.

2. Ang SSiC ay may mas makinis na ibabaw, mas mataas na density at mas mataas na lakas, para sa ilang mga sealing na may mas mahigpit na mga kinakailangan sa ibabaw, ang SSiC ay magiging mas mahusay.

3. Iba't ibang oras na ginamit sa ilalim ng magkaibang PH at temperatura, mas mahaba ang SSiC kaysa RBSiC

Mga Tampok ng Semiconductor Wafer Boat

Superior na paglaban sa init at pagkakapareho ng thermal
Pinong SiC crystal na pinahiran para sa makinis na ibabaw
Mataas na tibay laban sa paglilinis ng kemikal
Ang materyal ay idinisenyo upang hindi mangyari ang mga bitak at delamination.