SIC Porous Ceramic Debonding Chucks

Sa pagsulong ng pagproseso ng semiconductor at tumataas na pangangailangan para sa mga elektronikong sangkap, ang paggamit ng mga ultra-manipis na wafer ay lalong naging kritikal. Sa pangkalahatan, ang mga wafer na may kapal na mas mababa sa 100 μm ay tinutukoy bilang mga ultra-manipis na wafer. Gayunpaman, kapag ang mga wafer ay pinanipis hanggang sa ibaba ng 100 μm, nagpapakita ang mga ito ng makabuluhang brittleness at ang kanilang mekanikal na lakas ay kasunod na bumababa, na nagreresulta sa mataas na panganib ng wafer warping, baluktot, o kahit na pagkasira. Para sa kadahilanang ito, ang pagpili na gumamit ng Semicorex SiC porous ceramic debonding chucks ay ang matalinong desisyon, na maaaring magbigay ng maaasahang suporta at proteksyon ng mga ultra-thin na wafers upang makamit ang ligtas na paghihiwalay sa proseso ng pag-debonding.

Ang mga bentahe ng Semicorex SiC porous ceramic debonding chucks

1.Pambihirang mga katangian ng materyal

Nagtatampok ng Mohs hardness na humigit-kumulang 9.5, SemicorexSiC porous ceramic debonding chucksIpinagmamalaki ang pambihirang paglaban sa pagsusuot at maaaring matagalang makatiis ng paulit-ulit na vacuum adsorption at pagpapalabas ng mga operasyon na may maaasahang tibay sa panahon ng proseso ng debonding.

Bilang karagdagan, kasama ang superyor na thermal conductivity, ang Semicorex SiC porous ceramic debonding chucks ay balely para sa mabilis na pagsasagawa ng init, na epektibong makakapigil sa lokal na overheating na maaaring masira o makapinsala sa mga wafer, lalo na angkop para sa proseso ng debonding na may mataas na temperatura.

2.High-performing porous ceramic structure

Ginawa mula sa mataas na kalidadsilikon karbidpowder sa pamamagitan ng high-temperature sintering, ang Semicorex SiC porous ceramic debonding chucks ay may maraming magkakaugnay na micro-pores na pantay na ipinamamahagi sa loob. Sa porosity na 30 (±5)% at laki ng pore na tumpak na kinokontrol sa pagitan ng 2-25 μm, matitiyak ng Semicorex SiC porous ceramic debonding chucks na ang mga ultra-thin na wafer ay pare-parehong binibigyang diin sa panahon ng proseso ng pag-debonding, kaya lubos na nagpapababa sa mga panganib ng wafer warpage at pagkasira.

3.Tiyak na kontrol sa flatness

Nakikinabang mula sa mature machining at surface treatment na teknolohiya, ang Semicorex SiC porous ceramic debonding chucks ay nakakamit ng parallelism na kontrolado sa ibaba 0.02mm at double-sided flatness sa ibaba 0.02mm. Ang mahusay na flatness at parallelism na ito ay nagbibigay ng matatag at patag na platform ng suporta para sa proseso ng pag-debonding ng mga ultra-manipis na wafer, na epektibong ginagarantiyahan ang katumpakan at pagiging maaasahan ng proseso ng pag-debonding.

4.Flexible na mga pagpipilian sa dimensyon

Ang Semicorex SiC porous ceramic debonding chuck ay angkop para sa 6 na pulgada at 8 pulgadang paggamot ng wafer at available sa iba't ibang karaniwang sukat, kabilang ang 159mm diameter × 0.75mm na kapal, 200mm diameter × 1mm na kapal, 204mm diameter × 1.5mm na kapal.