Sic Wafer Cassette

Ang ultra-mataas na kadalisayan ng SIC wafer cassette ay nagpapakita ng paglaban sa metal o ionic na mga kontaminado na pumapasok sa proseso ng silid; Isang bagay na talagang kinakailangan para sa mataas na kadalisayan upang matugunan ang mga kinakailangan sa proseso para sa mga advanced na proseso ng katha ng semiconductor. Sa pamamagitan ng pag -minimize ng mga mapagkukunan ng mga kontaminadong silikon na karbida cassette ay tataas ang ani ng wafer at pagiging maaasahan ng aparato.

Ang cassette ay ginawa mula sa mataas na kadalisayanSilicon Carbide, mayroon ding mga coatings na maaaring mailapat para sa mas malaking benepisyo din. Ang SIC ay may mahusay na thermal shock, kaagnasan, at dimensional na katatagan ng pagpapapangit.  Ang SIC ay may natatanging katigasan, pagkawalang -kilos ng kemikal, at thermal conductivity na ito ay isang mainam na materyal para sa kapaligiran na ito. Ang SIC, na may kaugnayan sa mga alternatibong quartz at alumina ay hindi mababawasan ang mga mekanikal at kemikal na katangian sa mataas na temperatura ng pagproseso, sa gayon binabawasan ang panganib ng kontaminasyon at pagpapabuti ng pagkakapareho ng proseso ng wafer sa panahon ng mga proseso ng pagmamanupaktura.

Ang ultra-mataas na kadalisayan ng SIC wafer cassette ay nagpapakita ng paglaban sa metal o ionic na mga kontaminado na pumapasok sa proseso ng silid; Isang bagay na talagang kinakailangan para sa mataas na kadalisayan upang matugunan ang mga kinakailangan sa proseso para sa mga advanced na proseso ng katha ng semiconductor. Sa pamamagitan ng pag -minimize ng mga mapagkukunan ng mga kontaminadong silikon na karbida cassette ay tataas ang ani ng wafer at pagiging maaasahan ng aparato.

Pinapayagan ng teknolohiya ng precision machining ng Semicorex para sa bawat cassette na magawa na may masikip na pagpapaubaya, unipormeng slot pitch, at kahanay na pagkakahanay. Ang katumpakan na machining ng mga materyales ay sumusuporta sa makinis na pag -load at pag -load ng wafer, na binabawasan ang pagkakataon ng mga gasgas habang pinangangasiwaan ang mga wafer. Ang tumpak na puwang ng puwang ay nagbibigay -daan para sa pantay na temperatura at daloy ng hangin sa lahat ng mga wafer, na nagtataguyod ng pagkakapareho sa oksihenasyon at pagsasabog habang binabawasan ang pagkakaiba -iba ng proseso.

Ang SIC ay may mahusay na thermal conductivity, dimensional na katatagan, at nagbibigay ng maaasahang pagganap sa ilalim ng paulit -ulit na thermal cycling. Ang materyal ay matatag at hindi warp o crack; Ang mataas na higpit nito ay nagpapanatili ng integridad ng istruktura na may mataas na temperatura sa mahabang panahon, na makabuluhang binabawasan ang mekanikal na stress sa mga wafer habang nililimitahan ang posibilidad ng mga hindi ginustong mga particle na nabuo mula sa paghawak dahil sa alitan o micro-vibration.

Bilang karagdagan,SicAng pagkawalang -galaw patungo sa mga kemikal ay pinoprotektahan ang mga wafer mula sa reaksyon sa mga gas gas (e.g. oxygen, hydrogen, ammonia) na karaniwang kasangkot sa pagproseso. Ang mga wafer cassette ay matatag sa pag -oxidize at hindi nakakagulat na mga atmospheres, at maaaring isama sa daloy ng trabaho ng hurno sa isang bilang ng mga proseso tulad ng oksihenasyon, pagsasabog, LPCVD, at pagsusubo.

Upang matugunan ang mga tiyak na kinakailangan sa proseso, nag -aalok ang Semicorex ng mga pasadyang SIC wafer cassette sa iba't ibang laki, bilang ng slot, at mga pagsasaayos. Ang bawat yunit ay sumasailalim sa mahigpit na kalidad ng inspeksyon at paggamot sa ibabaw upang matiyak ang kinis, kalinisan, at dimensional na kawastuhan. Ang opsyonal na buli sa ibabaw ay karagdagang binabawasan ang henerasyon ng butil at nagpapahusay ng pagiging tugma sa mga awtomatikong sistema ng paghawak ng wafer.