Nagbibigay ang Semicorex ng mga semiconductor-grade ceramics para sa iyong OEM semi fabrication tool at wafer handling component na tumutuon sa mga silicon carbide layer sa mga industriya ng semiconductor. Kami ay tagagawa at supplier ng Silicon Wafer Carrier sa loob ng maraming taon. Ang aming Silicon Wafer Carrier ay may magandang bentahe sa presyo at sumasaklaw sa karamihan ng mga European at American market. Inaasahan naming maging iyong pangmatagalang kasosyo sa China.
Gumagamit ang mga proseso ng semiconductor deposition ng kumbinasyon ng mga pabagu-bagong precursor na gas, plasma, at mataas na temperatura upang maglagay ng mataas na kalidad na manipis na pelikula sa mga wafer. Ang mga deposition chamber at wafer handling tool ay nangangailangan ng matibay na ceramic na bahagi upang makayanan ang mga mapaghamong kapaligirang ito.
Ang Semicorex Silicon Wafer Carrier ay high-purity silicon carbide, na may mataas na corrosion at heat resistance na katangian pati na rin ang mahusay na thermal conductivity.
Mga Parameter ng Silicon Wafer Carrier
Teknikal na Katangian |
||||
Index |
Yunit |
Halaga |
||
Pangalan ng Materyal |
Reaksyon na Sintered Silicon Carbide |
Walang Pressure na Sintered Silicon Carbide |
Recrystallized Silicon Carbide |
|
Komposisyon |
RBSiC |
SSiC |
R-SiC |
|
Bulk Densidad |
g/cm3 |
3 |
3.15 ± 0.03 |
2.60-2.70 |
Flexural na Lakas |
MPa (kpsi) |
338(49) |
380(55) |
80-90 (20°C) 90-100(1400°C) |
Lakas ng Compressive |
MPa (kpsi) |
1120(158) |
3970(560) |
> 600 |
Katigasan |
Pindutan |
2700 |
2800 |
/ |
Pagsira sa Tenacity |
MPa m1/2 |
4.5 |
4 |
/ |
Thermal Conductivity |
W/m.k |
95 |
120 |
23 |
Coefficient ng Thermal Expansion |
10-6.1/°C |
5 |
4 |
4.7 |
Tukoy na init |
Joule/g 0k |
0.8 |
0.67 |
/ |
Pinakamataas na temperatura sa hangin |
℃ |
1200 |
1500 |
1600 |
Elastic Modulus |
Gpa |
360 |
410 |
240 |
Ang pagkakaiba sa pagitan ng SSiC at RBSiC:
1. Iba ang proseso ng sintering. Ang RBSiC ay upang makalusot ng libreng Si sa silicon carbide sa mababang temperatura, ang SSiC ay nabuo sa pamamagitan ng natural na pag-urong sa 2100 degrees.
2. Ang SSiC ay may mas makinis na ibabaw, mas mataas na density at mas mataas na lakas, para sa ilang mga sealing na may mas mahigpit na mga kinakailangan sa ibabaw, ang SSiC ay magiging mas mahusay.
3. Iba't ibang oras na ginamit sa ilalim ng magkaibang PH at temperatura, mas mahaba ang SSiC kaysa RBSiC
Mga Tampok ng Silicon Wafer Carrier
Mataas na kadalisayan na SiC coated graphite
Superior na paglaban sa init at pagkakapareho ng thermal
Pinong SiC crystal na pinahiran para sa makinis na ibabaw
Mataas na tibay laban sa paglilinis ng kemikal
Ang materyal ay idinisenyo upang hindi mangyari ang mga bitak at delamination.
Magagamit na mga hugis ng silicon carbide ceramics:
● Ceramic rod / ceramic pin / ceramic plunger
● Ceramic tube / ceramic bushing / ceramic sleeve
● Ceramic ring / ceramic washer / ceramic spacer
● Ceramic disc
● Ceramic plate / ceramic block
● Ceramic na bola
● Ceramic piston
● Ceramic nozzle
● Ceramic crucible
● Iba pang mga custom na ceramic na bahagi